[发明专利]制造三维存储器的后栅工艺

权利要求书

1.制造三维存储器的后栅工艺，其特征在于，包括：

提供衬底，在衬底的上表面交替堆叠两种沉积物，形成自下而上交替设有绝缘层和牺牲层的交替层，所述交替层包括若干绝缘层和若干牺牲层，且绝缘层始终为其最上层；

对交替层进行深孔刻蚀，形成成排设置的沟道孔，所述沟道孔贯穿所述交替层；

填充沟道孔，形成沟道孔结构；

在交替层内相邻的两排沟道孔结构之间刻蚀，形成沟槽；

移除牺牲层，以在相邻两层绝缘层之间形成金属栅沉积空间；

在所述金属栅沉积空间形成一层或多层隔离层；

在所述隔离层的表面，沉积金属钨以填充所述金属栅沉积空间，形成金属层；

回刻金属层，去除靠近沟槽的部分金属层，以暴露所述隔离层的部分表面，剩余的部分金属层为金属栅；

沉积氮化钛，形成氮化钛薄膜，使氮化钛薄膜覆盖沟槽侧壁、隔离层和金属栅的表面；

对氮化钛薄膜刻蚀，以去除覆盖在所述沟槽侧壁的氮化钛薄膜；

沉积二氧化硅，以形成覆盖所述沟槽侧壁、氮化钛薄膜表面的二氧化硅侧墙；

沉积钨形成钨墙，以填满所述沟槽。

2.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

沉积氮化钛形成氮化钛薄膜的步骤中，形成的氮化钛薄膜的厚度位于0.1～10nm之间。

3.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

对氮化钛薄膜刻蚀的步骤中，采用非等向等离子干法刻蚀，去除沟槽侧壁的氮化钛薄膜。

4.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

在提供衬底步骤中，形成牺牲层的沉积物为氮化硅，形成绝缘层的沉积物为氧化硅，所述牺牲层和所述绝缘层的厚度均为10～80nm。

5.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

所述交替层的总的厚度为大于1um。

6.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

所述隔离层为两层，包括由氧化铝形成的第一隔离层和由氮化钛形成的第二隔离层，其中第二隔离层的厚度为1～10nm。

7.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，在移除牺牲层步骤之后、在形成一层或多层隔离层步骤之前，还包括对沟槽进行磷酸漂洗的步骤：

其中，磷酸的温度为100～200℃之间，漂洗时间为10～100min。

8.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

沟道孔结构包括遂穿层、存储层、阻挡层和多晶硅层。

9.如权利要求1所述的后栅工艺，其特征在于，

沉积氮化钛的步骤中，沉积氮化钛的方法为ALD法或CVD法。