[发明专利]闪存芯片的修调测试方法及修调测试装置

说明书

本申请公开了一种闪存芯片的修调测试方法和装置。该仿真方法包括：产生第一批修调值序列和重置第二批修调值序列；将每一个修调值序列分别写入待测试的芯片，对待测芯片进行相关的读写擦等操作并记录对应的修调测试结果；将修调测试结果加权评分并保留最优修调值序列；判断是否达到结束条件。在选取合适修调值的过程中，自动优化了修调值，克服了现有技术中需要花费大量时间及精力的问题，并且修调后的芯片参数更符合目标值。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及闪存芯片的修调测试方法及修调测试装置。

背景技术

随着集成电路工艺和设计技术的发展，电路性能要求也越来越高，以便能满足广泛的应该用需求。但是，电路性能总是会受到半导体制造工艺的非理想因素的影响，这些寄生效应主要表现在电流镜失配、电阻绝对偏差、电阻的温度系数、电阻电容失配、晶体管失配、由封装应力引入的漂移和输入失调电压等方面，而且这些误差是随机性的，因此在设计芯片的时候会预留各种各样的用于半导体的操作的修调电路。

为了在标准工艺上实现高精度的模拟集成电路，对芯片进行制造后调整成为改善失调和温漂、优化电路性能、提高芯片成品率的主流解决方案。修调技术广泛应用于高精度低失调放大器、低温漂高性能基准源、射频电路、高性能AD/DA转换器以及高复杂度的SOC芯片中。修调电阻通常分为熔丝类、齐纳击穿二极管类及薄膜电阻激光修调类三种类别。调整待修调电阻的阻值，可在芯片测试时修调，也可在芯片封装完成后进行。在设计芯片的时候会预留各种各样的用于半导体的操作的修调电路。后期流片完成后再根据测试数据进行选取合适的修调值，实际中可能有较多的修调值，在几十个上百个修调值中选出一组或几组较好的修调值，需要大量的时间和精力。

现有技术中提供了一种熔丝修调的方法，该方法通过晶圆测试来提升产品精度，根据圆片当前区域的熔丝步距实时调整熔丝真值表，即不断将前一颗管芯的熔丝步距应用于下一颗管芯的基准电压值修调过程中。该方案通过实时监控熔丝步距实测值，自动调整熔丝真值表，修调后的基准值更接近目标值。但这种实施方式中会产生较多的修调值，在几十个上百个修调值中选出一组或几组较好的修调值，需要大量时间和精力。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种闪存芯片的修调测试方法、修调测试装置，克服了现有技术中需要花费大量时间及精力的问题，并且修调后的芯片参数更符合目标值。

根据本发明的第一方面，提供一种闪存芯片的修调测试装置，包括：配置模块，产生第一批修调值序列和重置第二批修调值序列。测试模块，将每一个修调值序列分别写入待测试的芯片，对待测芯片进行相关的读写擦等操作并记录对应的修调测试结果。计算模块，用于将修调测试结果加权评分并保留最优修调值序列。以及比较模块，用于判断是否达到结束条件。

优选地，所述比较模块的所述结束条件指待测芯片的测试参数达到预定效果。

优选地，所述计算模块的加权评分为针对衡量多个指标时对不同指标设置不同的权重，所述权重可以是固定的，也可以进行调节。

所述第一批修调值序列是随机产生的多个不同的修调值序列。

所述第二批修调值序列包括所述最优修调值序列以及将除最优修调值序列之外的其余第一批修调值序列重置后的新的修调值序列。

优选地，所述重置行为包括对修调值序列内部的交叉处理和变异处理。

所述修调值序列是一组和电路配套的0和1二进制组合。交叉是指两个修调序列的部分序列进行互换，变异是指将序列中的某一位0变1，或者1边0，从而得到两个新的序列。

优选地，在进行交叉和变异时保留了最优的个体，是不希望最优个体被破坏。

根据本发明的第二方面，提供一种闪存芯片的修调测试方法，包括：产生第一批修调值序列和重置第二批修调值序列；