[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构有效
| 申请号： | 201710724647.2 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107579073B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 宋豪杰;徐强;李广济;邵明;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 制备 方法 及其 结构 | ||
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区；
在所述基板上设置一层第一硬掩膜以覆盖所述三维存储器的外围电路区和阵列存储区，在所述第一硬掩膜上覆盖第一光阻层，利用一次曝光和蚀刻工艺将所述第一光阻层和第一硬掩膜图案化；
利用所述图案化后的第一硬掩膜，通过一次蚀刻工艺在三维存储器中同时形成对准标记和所述阵列存储区的上层接触孔；
利用所述对准标记进行套刻对准，通过曝光和蚀刻工艺形成所述阵列存储区的下层接触孔。
2.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述对准标记形成在三维存储器的外围电路区一侧。
3.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述利用一次曝光和蚀刻工艺将所述第一光阻层和第一硬掩膜图案化之后，还包括去除所述第一光阻层的步骤。
4.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述通过一次蚀刻工艺在三维存储器中同时形成对准标记和所述阵列存储区的上层接触孔之后，还包括将所述第一硬掩膜去除的步骤。
5.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述通过曝光和蚀刻工艺形成所述阵列存储区的下层接触孔的工艺具体为：利用所述对准标记进行套刻对准，在所述基板上设置一层第二硬掩膜以覆盖所述三维存储器的外围电路区和阵列存储区，在所述第二硬掩膜上覆盖第二光阻层，利用一次曝光和蚀刻工艺将所述第二光阻层和第二硬掩膜图案化；利用所述图案化后的第二硬掩膜，通过一次蚀刻工艺在三维存储器中形成所述阵列存储区的下层接触孔。
6.如权利要求5所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述利用一次曝光和蚀刻工艺将所述第二光阻层和第二硬掩膜图案化之后，还包括将所述第二光阻层去除的步骤。
7.如权利要求5所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述通过一次蚀刻工艺在三维存储器中形成所述阵列存储区的下层接触孔之后，还包括去除所述第二硬掩膜的步骤。
8.如权利要求5所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述第一硬掩膜的厚度小于所述第二硬掩膜的厚度。
9.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构是由如权利要求1-8任意一项所述的方法制备得到的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
