[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，是具备形成于半导体层的多个半导体单元的半导体装置，上述半导体装置的特征在于

上述半导体单元具备：

台面部，是在上述半导体层向上方突出的部分，上述台面部具备上表面和侧面；

肖特基电极，在上述台面部的上述上表面与上述半导体层进行肖特基接触；

绝缘膜，连续地形成在上述台面部的上述侧面、在上述台面部的上述上表面上比上述肖特基电极的一部分接近上述上表面的一端的上述肖特基电极的另一部分及上述半导体层的上述台面部以外的表面上；以及

布线电极，形成在上述肖特基电极和上述绝缘膜上，

上述台面部的上述侧面与上述半导体层的上述表面所成的角为85度以上90度以下，

上述布线电极的一部分位于形成于相邻的上述台面部的相对的上述侧面的上述绝缘膜之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述台面部的宽度为2.0μm以上15.0μm以下。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

上述相邻的台面部之间的距离为1.0μm以上且为上述台面部的宽度以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述台面部的高度为0.1μm以上5.0μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述肖特基电极构成为，在上述台面部的上述上表面上述肖特基电极的一端与上述台面部的上述上表面的一端的距离为2.0μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘膜的厚度为50nm以上且小于上述相邻的台面部之间的距离的1/2。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在各上述半导体单元中，上述绝缘膜和上述布线电极配置于上述肖特基电极的上述一部分的两侧。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在各上述半导体单元中，上述绝缘膜和上述布线电极配置于包围上述肖特基电极的上述一部分的位置。

9.一种半导体装置的制造方法，是制造具备形成于半导体层的多个半导体单元的半导体装置的方法，其特征在于，具备：

(a)在上述半导体层形成分别在上述半导体层向上方突出并具备上表面和侧面的多个台面部；

(b)针对上述多个台面部的每一个使用光刻形成在上述台面部的上述上表面与上述半导体层进行肖特基接触的肖特基电极；

(c)针对上述多个台面部的每一个形成绝缘膜，上述绝缘膜连续地形成在上述台面部的上述侧面、在上述台面部的上述上表面上比上述肖特基电极的一部分接近上述上表面的一端的上述肖特基电极的另一部分及上述半导体层的上述台面部以外的表面上；以及

(d)针对上述多个台面部形成布线电极，上述布线电极形成在上述肖特基电极和上述绝缘膜上，

上述台面部的形成包括形成上述半导体层的上述表面与上述台面部的上述侧面所成的角为85度以上90度以下的上述台面部的处理，

上述绝缘膜的形成包括将形成于相邻的上述台面部的相对的上述侧面的上述绝缘膜形成为在上述半导体层的上述表面上相互连接的处理，

上述布线电极的形成包括在形成于上述相对的上述侧面的上述绝缘膜之间配置上述布线电极的一部分的处理。