[发明专利]一种CIS器件的封装方法及结构

权利要求书

1.一种CIS器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

将CIS芯片倒装在晶圆上，至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中，所述CIS芯片具有通孔，所述通孔内填充有导电材料，所述导电材料将所述CIS芯片正面的焊盘连接至所述CIS芯片的背面；

在所述晶圆上进行封装，所述CIS芯片外侧形成封装层；

将所述封装层减薄至露出所述通孔内的导电材料；

在所述CIS芯片背面制备线路层，所述线路层与所述导电材料连接，在所述线路层表面制备绝缘层，在所述绝缘层上的开窗处制备凸点，所述凸点与所述线路层连接。

2.根据权利要求1所述的CIS器件的封装方法，其特征在于，所述将所述CIS芯片倒装在晶圆上，至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中的步骤中，包括：

在晶圆上制备第一凹槽，在第一凹槽底部制备第二凹槽，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的底部，所述CIS芯片的外边缘的宽度小于所述第一凹槽的宽度，大于所述第二凹槽的宽度；

将所述CIS芯片放置于所述第一凹槽的底部，所述CIS芯片微透镜位于所述第二凹槽内。

3.根据权利要求2所述的CIS器件的封装方法，其特征在于，所述将所述CIS芯片放置于所述第一凹槽的底部之前，还包括在所述第二凹槽形成的腔体内部填充透光材料。

4.根据权利要求3所述的CIS器件的封装方法，其特征在于，所述透光材料的填充高度大于所述第二凹槽的深度。

5.根据权利要求1-4任一所述的CIS器件的封装方法，其特征在于，所述在所述晶圆上进行封装，所述CIS芯片外侧形成封装层的步骤之后，还包括：

将所述晶圆进行减薄。

6.根据权利要求5所述的CIS器件的封装方法，其特征在于，所述在所述CIS芯片背面制备线路层，所述线路层与所述导电材料连接，在所述线路层表面制备绝缘层，在所述绝缘层上的开窗处制备凸点，所述凸点与所述线路层连接的步骤之后，还包括：

将所述晶圆进行切割，形成单颗CIS器件。

7.一种使用权利要求1-6任一方法制备的CIS器件。

8.一种CIS器件，其特征在于，包括晶圆层，所述晶圆层内具有第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的底部，CIS芯片的外边缘的宽度小于所述第一凹槽的宽度，大于所述第二凹槽的宽度，所述CIS芯片倒装于所述第二凹槽上方且所述CIS芯片的微透镜嵌入所述第二凹槽中，所述CIS芯片外侧有封装层，所述CIS芯片上具有至少一个通孔，所述通孔的内部填充有导电材料，所述导电材料连通所述CIS芯片的焊盘，所述CIS芯片背面具有线路层，所述线路层与所述导电材料连接，所述线路层表面具有绝缘层，所述绝缘层上设置有开窗，所述开窗处设置有凸点，所述凸点与所述线路层连接。

9.根据权利要求8所述的CIS器件，其特征在于，所述第二凹槽形成的腔体内部填充透光材料。

10.根据权利要求8或9所述的CIS器件，其特征在于，所述CIS芯片的背面与所述第一凹槽的槽口持平。