[发明专利]半导体装置及操作和控制半导体装置的方法

说明书

示例性实施例包括半导体装置及操作和控制半导体装置的方法。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元；行解码器，用于接收行地址并选择与行地址对应的字线；列解码器，用于接收列地址并选择与列地址对应的位线；读出放大器，用于读取存储在连接到所选字线和所选位线的存储器单元中的数据；以及数据输出驱动器。所述方法包括：设定用于驱动器控制码的校准码，以控制数据输出驱动器的初始电流强度；并且在用于存储器单元阵列的读取或写入操作期间，改变校准码以改变驱动器控制码。

本申请要求于2016年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0105961号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

示例性实施例涉及半导体存储器装置和半导体装置，以及控制半导体存储器装置和半导体装置的方法。

背景技术

存储器系统包括连接到传输线的存储器控制器和半导体存储器装置。沿着存储器系统的传输线传输的数据信号会在传输线的端子上被反射。反射的数据信号变成噪声以影响原始数据信号，并且使数据信号的质量恶化。

匹配阻抗的装置连接到传输线的端子，以防止数据信号的反射。传输线的端子处的阻抗与存储器控制器和半导体存储器装置之间的传输线的阻抗匹配，以减小数据信号的反射并防止数据信号的质量恶化。

阻抗值根据制造工艺的变化、电源电压的波动和操作温度的变化而波动。当不适当地实现根据波动的阻抗值的阻抗匹配时，会难以快速地发送数据信号，并且数据会失真。

近年来，半导体存储器装置使用ZQ校准逻辑，以确保高信号质量和稳定性。可以根据由ZQ校准逻辑生成的校准码来调节阻抗。

本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景的理解，因此可以包含不形成现有技术的信息。

发明内容

示例性实施例提供了半导体存储器装置和其中阻抗与传输线的阻抗精确地匹配的半导体装置。

此外，示例性实施例提供了可以自动调节阻抗值的半导体存储器装置和半导体装置。

此外，示例性实施例提供了确保数据输入/输出阶段的半导体存储器装置和半导体装置。

还描述了控制这些装置的方法。

示例性实施例提供了控制半导体装置的方法。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元；行解码器，用于接收行地址并选择与行地址对应的字线；列解码器，用于接收列地址并选择与列地址对应的位线；读出放大器，用于读取存储在连接到所选字线和所选位线的存储器单元中的数据；以及数据输出驱动器，包括包含具有彼此不同尺寸的多个第一晶体管的第一驱动器和包含具有彼此相同尺寸的多个第二晶体管的第二驱动器，第一驱动器和第二驱动器将数据输出到输出垫并且被驱动以向输出垫提供阻抗。所述方法包括：在第一时刻处，输出用于第一驱动器的第一校准码和用于第二驱动器的第二校准码，以控制提供给输出垫的阻抗；并且在第二时刻处，改变用于第二驱动器的第二校准码，而不改变用于第一驱动器的第一校准码，以改变提供给输出垫的阻抗。

另一示例性实施例提供了控制半导体装置的方法。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元；行解码器，用于接收行地址并选择与行地址对应的字线；列解码器，用于接收列地址并选择与列地址对应的位线；读出放大器，用于读取存储在连接到所选字线和所选位线的存储器单元中的数据；以及数据输出驱动器。所述方法包括：设定用于驱动器控制码的校准码，以控制数据输出驱动器的初始电流强度；并且在用于存储器单元阵列的读取或写入操作期间，改变校准码以改变驱动器控制码。