[发明专利]一种电容加载型移相滤波器

说明书

技术领域

本发明属于微波技术领域，具体涉及一种电容加载型移相滤波器。

背景技术

近年来，民用通信，军事无线通讯等领域飞速发展，使得电子系统不断升级，电子器件微型化、集成化、稳定性能高易于批量加工等优势成为当今的生产潮流。以低温共烧陶瓷技术为基础的众多种类无源器件如滤波器、耦合器、双工器、功分器等已应用在许多国防尖端设备中，而集成有源芯片的无源器件的发展势头也会越来越迅猛

低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部。LTCC技术在批量生产、集成封装、高品质、设计灵活以及高频性能等方面都有着明显的优势，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，易于集成有源芯片，散热性好，稳定性高，耐高温等优点，利用LTCC技术，可以更好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。

发明内容

本发明旨在提出一种电容加载型移相滤波器，采用低温共烧陶瓷技术，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、批量一致性好、成本低、温度性能稳定的移相滤波器。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种电容加载型移相滤波器，包括一个数字移相器WYD和一个滤波器，移相滤波器的上表面贴装有数控衰减芯片WYD、芯片输入线Rin和芯片输出线Rout，衰减滤波器的一侧是贴装有50欧姆阻抗的输入端口P1，另一侧是贴装有50欧姆阻抗的输出端口P2，移相滤波器的前侧贴装接地面GND1，移相滤波器的后侧从左至右依次贴装有数字移相芯片WYD的电压控制端接口P3，控制端接口P4，控制端接口P5，控制端接口P6，控制端接口P7，控制端接口P8，控制端接口P9，控制端接口P10，控制端接口P11，控制端接口P12，控制端接口P13，最右边为接地端口GND2。

电容加载型滤波器包括滤波器左端的金属柱H5，上端接芯片输出线Rout下端接输入电感Lin。还有第一阶梯电容加载梯谐振阻抗单元、第二阶电容加载梯谐振阻抗单元、第三阶电容加载梯谐振阻抗单元、第四阶电容加载梯谐振阻抗单元、输出电感Lout、Z形级间交叉耦合带状线Z1、50欧姆阻抗匹配输出端口P2，所述阶梯谐振阻抗电容加载滤波器设在一个4层电路基板上，所述4层电路基板从上至下依次设有第一加载电容层、第二阶梯谐振阻抗带状线层、第三交叉耦合带状线层、第四加载电容层。

第一电容加载阶梯谐振单元包括第一阶梯谐振阻抗带状线T1、金属柱H1、第一加载电容C1，第一阶梯谐振阻抗带状线T1包括带状线T11和带状线T12，其中带状线T11的宽度大于带状线T12的宽度，带状线T12前端接地，带状线T11末端与金属柱H1顶部连接，金属柱H1底部与第一加载电容C1连接，第一电容加载阶梯谐振单元通过带状线T11末端与输入电感Lin连接。

第二电容加载阶梯谐振单元包括第二阶梯谐振阻抗带状线T2、金属柱H2、第二加载电容C2，第二阶梯谐振阻抗带状线T2包括带状线T21和带状线T22，其中带状线T21的宽度小于带状线T22的宽度，带状线T21后端接地，带状线T22前端与金属柱H2底部连接，金属柱H2顶部与第二加载电容C2连接。

第三电容加载阶梯谐振单元包括第三阶梯谐振阻抗带状线T3、金属柱H3、第三加载电容C3，第三阶梯谐振阻抗带状线T3包括带状线T31和带状线T32，其中带状线T31的宽度小于带状线T32的宽度，带状线T31后端接地，带状线T32前端与金属柱H3顶部连接，金属柱H3底部与第三加载电容C3连接。

第四电容加载阶梯谐振单元包括第四阶梯谐振阻抗带状线T4，金属柱T4、第四加载电容C4，第四阶梯谐振阻抗带状线T4包括带状线T41和带状线T42，其中带状线T42的宽度小于带状线T41的宽度，带状线T42前端接地，带状线T41后端与金属柱H4底部连接，金属柱H4顶部与第四加载电容C4连接，第四电容加载阶梯谐振单元通过带状线T41末端与输出电感Lout连接。

所述带状线T11、带状线T22、带状线T32、带状线T41长度宽度均相等，所述带状线T12、带状线T21、带状线T31、带状线T42长度宽度均相等，第二加载电容C2、第四加载电容C4位于各级阶梯谐振阻抗带状线上方，第一加载电容C1、第三加载电容C3位于各级阶梯谐振阻抗带状线下方。所述第一Z形级间交叉耦合带状线Z1位于各级阶梯谐振阻抗带状线下方，位于第一加载电容C1、第三加载电容C3层上方。

所述信号输入端口P1和信号输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口；