[发明专利]具有放大器-MOSFET的集成电路

说明书

一种集成电路(200)包括衬底、放大器‑MOSFET(100)和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器‑MOSFET(100)的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm，所述电势差是‑3V或者更负。由此可以在实例中实现特别是用于高频信号的具有低的信号噪声的放大器。

技术领域

不同的实施方式涉及一种集成电路，其具有放大器-MOSFET和衬底。衬底相对于放大器-MOSFET的至少一个负载端子的电势差是-3V或者更负。衬底的电阻率不小于0.3kOhmcm。

背景技术

在多种应用情况中，期望具有低的信号噪声的信号放大。特别是与高频信号有关地，具有低的信号噪声的放大会是值得努力达到的。为了实现相应的具有低的信号噪声的放大器(英文：低噪声放大器(low noise amplifier，LNA))通常使用硅锗(SiGe)技术。在此，SiGe技术中的晶体管可能为了从未导电状态切换到导电状态而具有相对大的阈值电压(典型地0.7V)并伴有通过基极-发射极二极管相对高的电流消耗以及温度系数(典型地2mV/K)。此外，SiGe技术中的晶体管可以相对于静电放电具有高的稳定性。

另一方面，以SiGe技术制造元件的复杂性相对较高。因此，基于SiGe技术的开关的线性和效率通常可能受到极大限制。这与Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)技术相比可以特别是合乎实际的。金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)被使用在CMOS技术中。

然而CMOS技术中的放大器的传统的实施方案在信号噪声方面与硅锗技术中的相应的实施方案相比具有不利的特性。信号噪声可以是非常显著的。

发明内容

因此，存在对用于改善放大器电路的技术的需要。特别是存在对减小或者消除至少一些上述缺点和限制的技术的需要。

该任务由独立权要求的特征解决。从属权利要求确定了实施方式。

根据一个实例，一种集成电路包括衬底和放大器-MOSFET。该集成电路也包括偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器-MOSFET的至少一个负载端子的电势差。衬底的电阻率不小于0.3kOhm cm。电势差是-3V或者更负。

在一个另外的实例中，一种方法包括加工衬底，从而衬底具有不小于0.3kOhm cm的电阻率。该方法也包括将集成电路提供到衬底上，该集成电路包括放大器-MOSFET和偏压端子。偏压端子设置用于产生衬底与放大器-MOSFET的至少一个负载端子的电势差，所述电势差是-3V或者更负。

上述的特征和在下文中所述的特征可以在不脱离本发明的保护范围的情况下不仅以相应的详细描述的组合使用，而且也能够以另外的组合或单独地使用

附图说明

图1A示意性地示出根据不同的实施方式的N沟道MOSFET。

图1B示意性地示出根据不同的实施方式的P沟道MOSFET。

图2示意性地示出根据不同的实施方式的具有MOSFET和共源-共栅放大器-MOSFET的集成电路。

图3示意性地示出根据不同的实施方式的具有MOSFET和旁路支路的集成电路。

图4示意性地示出根据不同的实施方式的具有MOSFET、多个输入端子以及对应于输入端子的多个开关的集成电路。

图5以放大的细节图示意性地示出根据不同的实施方式的图4的开关。

图6示意性地示出根据不同的实施方式的具有MOSFET和过压保护元件的集成电路。

图7以放大的细节图示意性地示出根据不同的实施方式的图6的过压保护元件。

图8示意性地示出根据不同的实施方式的具有MOSFET的集成电路。