[发明专利]具有放大器-MOSFET的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路(200)，所述集成电路包括：

-衬底(106)，

-放大器-MOSFET(100)，以及

-偏压端子(110)，设置用于产生所述衬底(106)相对于所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的电势差，

其中，所述衬底(106)的电阻率不小于0.3kOhm cm，

其中，所述电势差是-3V或者更负

还包括：

-至少一个输入端子(221，222)，与所述放大器-MOSFET(100)的控制端子(103)连接并且设置用于接收至少一个输入信号，以及

-输出端子(231)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的一侧上并且设置用于将输出信号输出；

-至少一个共源-共栅放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)，被布置在所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)和所述输出端子(231)之间，

其中，所述至少一个共源-共栅放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的栅极长度(103A)。

2.根据权利要求1所述的集成电路(200)，

其中，所述放大器-MOSFET(100)的栅极宽度大于100μm。

3.根据权利要求1所述的集成电路(200)，

其中，所述电阻率和所述电势差是衬底(106)在所述集成电路(200)的区域中的体特性。

4.根据权利要求1所述的集成电路(200)，还包括：

-电感(212)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)的一侧上，

其中，所述放大器-MOSFET(100)和电感(212)被设置用于实现所述输出信号相对于所述至少一个输入信号的不小于10dB。

5.根据权利要求1所述的集成电路(200)，还包括：

-至少一个开关(302，303，401，402)，被布置为与所述至少一个输入端子(221，222)相邻，并且所述开关具有从开关-MOSFET(431)至地线(217)的串联电路，

其中，所述开关-MOSFET(431)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的栅极长度(103A)。

6.根据权利要求5所述的集成电路(200)，

其中，所述至少一个开关(302，303，401，402)被布置在一旁路支路(301)中，所述旁路支路在将所述放大器-MOSFET(100)旁路的情况下使所述至少一个输入端子(221，222)与所述输出端子(231)连接。

7.根据权利要求5所述的集成电路(200)，

其中，所述集成电路(200)包括多个开关(302，303，401，402)和多个输入端子(221，222)，

其中，所述多个开关(302，303，401，402)中的至少一些开关分别与所述多个输入端子(221，222)中的一个相应的输入端子相关联。

8.根据权利要求5所述的集成电路(200)，还包括：

-至少一个过压保护元件(601，602)，所述过压保护元件具有至少一个ESD-MOSFET(611，831)，

其中，所述至少一个ESD-MOSFET(611，831)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的栅极长度(103A)，

其中，所述至少一个过压保护元件(601，602)被布置在所述至少一个输入端子(221，222)和所述放大器-MOSFET(100)的控制端子(103)之间，和/或

其中，所述至少一个过压保护元件(601，602)被布置在所述放大器-MOSFET(100)的至少一个负载端子(101，102)和所述输出端子(231)之间。