[发明专利]一种高疏水多元掺杂类金刚石薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710703168.2 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107502860B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈立;吴德生;朱得菊 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 516600 广东省汕尾*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 多元 掺杂 金刚石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高疏水多元掺杂类金刚石薄膜的制备方法，具体为：
将玻璃基体放入磁控溅射设备腔室，以硅为靶材进行磁控溅射镀膜，先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为40sccm，O2气流量为6sccm；磁控溅射镀膜过程中镀膜气压4mTorr，Si靶功率1000W，镀膜电压400V，镀膜时间20s，在玻璃基体表面形成厚度为7nm的SiO2过渡层；
将上述制备的SiO2过渡层放入磁控溅射设备腔室，以纯碳为靶材进行磁控溅射镀膜，首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为30sccm，H2气流量为12sccm，磁控溅射镀膜过程中，C靶功率6KW，镀膜气压4mTorr，镀膜电压660V，镀膜时间20s，在SiO2过渡层表面形成厚度为4nm的含氢DLC过渡层；
将上述制备得到的含氢DLC过渡层放入磁控溅射设备腔室，以石墨-硅复合靶为溅射靶材进行磁控溅射镀膜；首先进行抽真空处理，真空度在4×10-6mTorr，通入Ar气流量为45sccm，H2气流量为3sccm，CF4气流量为48sccm，磁控溅射镀膜过程中石墨-硅复合靶功率6KW，镀膜气压6.5mTorr，镀膜电压690V，镀膜时间20s，在含氢DLC过渡膜表面形成厚度为2.5nm的掺杂F和Si的DLC薄膜层，得到高疏水多元掺杂类金刚石薄膜。
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