[发明专利]具有反射电极的发光装置

说明书

本发明公开一种具有反射电极的发光装置，包含：一半导体发光叠层；以及一电极位于半导体发光叠层之上，电极包含：一粘着层包含铬(Cr)或铑(Rh)；一反射层包含银(Ag)或铝(Al)；一屏障层；以及一打线层包含金(Au)，其中屏障层位于反射层及打线层之间，屏障层包含一第一金属对具有一厚度大于或等于该第一金属对包含一第一金属层与一第二金属层，第一金属层与第二金属层包含不同材料。

本发明是中国发明专利申请(申请号：201310183457.6，申请日：2013年5月17日，发明名称：具有反射电极的发光装置)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种具有一反射电极的发光装置，及其制造方法。

背景技术

随着发光效率的增加与制造成本的降低，近年来以固态发光装置取代传统发光装置的梦想将实现。目前，发光二极管内部发光效率大约落在50％至80％之间，但部分光线会被电极或发光层吸收，以至于整体发光效率降低。因此，此一问题的解决方式可以在电极底下提供一反射层。当发光层发射出的光线被电极阻挡时，反射层可以反射光线避免被电极吸收。

当施以一电流给发光二极管并流经电极时，反射层的材料可能会迁移至电极。反射层材料的迁移效应将导致电极的电阻增加，以及降低发光二极管的发光效率。因此，如图1所示，屏障层11可以阻止反射层12材料的迁移。然而，近年来为了让单一芯片产生更多的光线，会增加通过发光二极管的电流，但是大电流却会破坏屏障层11。

传统上，反射层12由铝(Al)或银(Ag)形成且屏障层由单一金属形成，例如以如钛(Ti)或钼(Mo)的单一金属用来抵挡反射层12的迁移。但是，在反射层12上形成具有一致厚度的屏障层11并不容易。当电流通过反射层12，例如铝(Al)或银(Ag)的反射层12金属会破坏屏障层11中较薄的部分。因此，屏障层11最好由两种不同的金属形成。第二金属层可以补强第一金属层较薄的部分而加强屏障层11的防御。但是，当高电流通过电极，由两种不同金属形成的屏障层11通常仍会被反射层12的材料破坏。图2A所示，以120mA电流通过97小时后，具有两种不同金属形成的屏障层11的电极4被破坏的形态。图2B所示，屏障层11已被破坏，反射层已迁移且与电极4的其他部分形成合金，如此一来，电极4的导电率大幅地降低。

发明内容

一种发光装置，包含：半导体发光叠层，以及电极位于半导体发光叠层之上，电极包含反射层、粘着层位于反射层及半导体发光叠层之间、打线层以及屏障层位于反射层及打线层之间并覆盖反射层以防止反射层与打线层起反应，其中，屏障层包含第一金属对及第二金属对。

一种制造发光装置的方法，其步骤包含：提供一半导体发光叠层；形成一反射层与一粘着层于半导体发光叠层之上；形成一图案化光致抗蚀剂层于半导体发光叠层之上；形成一屏障层覆盖反射层；以及形成一打线层于屏障层之上，其中屏障层可防止反射层与打线层起反应。

附图说明

图1为具有现有屏障层的电极结构的示意图；

图2A到图2B为具有被破坏的现有屏障层的电极的示意图；

图3A到图3F为依据本发明的第一实施例的具有两对不同金属对的电极的示意图；

图4A到图4D为依据本发明的第二实施例的具有三对不同金属对的电极的示意图。；

图5A为现有发光二极管与依据本发明的第二实施例的发光二极管的Vf与电流的关系图；

图5B为现有发光二极管与依据本发明的第二实施例的发光二极管的功率与电流的关系图；

图6为三种屏障层43、一具有一金属对、另一具有两金属对及另一具有三金属对的可靠度比较的示意图；

图7A到图7D为依据本发明的一实施例的电极4的制造方法的示意图。

符号说明