[发明专利]封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710700397.9 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN109003946B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 张简上煜;徐宏欣;林南君 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供一种封装结构,其包括重布线路结构、晶粒、绝缘密封体、保护层以及多个导电端子。重布线路结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。晶粒电性连接至重布线路结构。晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。绝缘密封体包封晶粒的侧边以及重布线路结构的第一表面。保护层位于晶粒的后表面以及绝缘密封体上。导电端子形成于重布线路结构的第二表面上。另外,一种封装结构的制造方法亦被提出。

技术领域

本发明涉及一种封装结构,尤其涉及一种具有保护层的封装结构及其制造方法。

背景技术

近几年来,半导体封装技术的发展逐渐朝向体积较小、重量较轻、整合度(integration level)较高、制造成本较低的产品迈进。于此同时,当小型化封装结构之时,如何保有封装件的可靠性(reliability)实为目前研究人员亟欲解决的课题。

发明内容

本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法,其可以有效地提升封装结构的可靠性且具有较低的制造成本。

本发明提供一种封装结构,其包括重布线路结构、晶粒、绝缘密封体、保护层以及多个导电端子。重布线路结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。晶粒电性连接至重布线路结构。晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。绝缘密封体包封晶粒的侧边以及重布线路结构的第一表面。保护层位于晶粒的后表面以及绝缘密封体上。导电端子形成于重布线路结构的第二表面上。

在本发明的一实施例中,保护层的杨氏模量在0.5GPa和5GPa之间的范围内。

在本发明的一实施例中,保护层的颜色为黑色。

在本发明的一实施例中,保护层的厚度范围介于10微米至40微米之间。

本发明提供一种封装结构的制造方法。本方法包括至少以下步骤。提供载体基板。形成保护层于载体基板上。设置多个晶粒于保护层上。各个晶粒具有主动面、相对于主动面的后表面以及位于主动面与后表面之间的侧边。晶粒的后表面贴附至保护层。以绝缘密封体包封晶粒的侧边。形成重布线路结构于晶粒以及绝缘密封体上。重布线路结构电性连接至晶粒。将载体基板自保护层分离。形成多个导电端子于重布线路层上。

在本发明的一实施例中,本方法更包括形成离型层于载体基板以及保护层之间。

在本发明的一实施例中,保护层通过涂布处理或层压处理形成。

在本发明的一实施例中,导电端子通过植球处理形成。

在本发明的一实施例中,相较于绝缘密封体的热膨胀系数,载体基板的热膨胀系数较为接近保护层的热膨胀系数。

在本发明的一实施例中,保护层的材质包括B阶(B-stage)材料。

在本发明的一实施例中,保护层的杨氏模量小于绝缘密封体的杨氏模量。

在本发明的一实施例中,保护层的湿气吸收率低于绝缘密封体的湿气吸收率。

基于上述,保护层形成于晶粒以及绝缘密封体上。晶粒以及绝缘密封体被保护层良好地保护,且使得通过绝缘密封体以及晶粒之间的界面的水分渗透的问题可以被有效地减少。除此之外,相较于绝缘密封体的热膨胀系数,由于载体基板的热膨胀系数较为接近保护层的热膨胀系数,可以充分地减少于封装结构的制造过程中的翘曲问题。因此,可以提升封装结构的可靠性。此外,通过将B阶材料作为保护层,可以提高封装结构的整体强度。此外,也可以降低封装结构的制造过程中的分层以及晶粒偏移的问题。除此之外,通过使用保护层来替代绝缘密封体的包模(over-molding)部分,可以有效地降低封装结构的制造成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

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