[发明专利]封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201710700397.9 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN109003946B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 张简上煜;徐宏欣;林南君 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
重布线路结构,具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面;
晶粒,电性连接至所述重布线路结构,所述晶粒具有主动面、相对于所述主动面的后表面以及位于所述主动面与所述后表面之间的侧边,且所述主动面上具有导电连接端子;
绝缘密封体,包封所述晶粒的所述侧边、所述晶粒的所述主动面以及所述重布线路结构的所述第一表面,且所述绝缘密封体暴露出所述导电连接端子的顶表面,其中所述晶粒的所述主动面不与所述导电连接端子的所述顶表面共平面;
保护层,位于所述晶粒的所述后表面以及所述绝缘密封体上,且所述保护层的杨氏模量小于所述绝缘密封体的杨氏模量,其中所述晶粒的所述后表面物理性地贴附至所述保护层,且所述保护层不与所述晶粒以及所述绝缘密封体电性连接;以及
多个导电端子,形成于所述重布线路结构的所述第二表面上。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述保护层的材质包括B阶材料。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述保护层的湿气吸收率低于所述绝缘密封体的湿气吸收率。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述重布线路结构包括至少一介电层以及嵌入于所述至少一介电层中的多个导电元件,且所述晶粒与所述多个导电元件电性连接。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述晶粒通过覆晶接合电性连接至所述重布线路结构。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述晶粒的所述后表面与所述绝缘密封体的表面共面。
7.一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供载体基板;
形成保护层于所述载体基板上;
配置多个晶粒于所述保护层上,其中各个所述多个晶粒具有主动面、相对于所述主动面的后表面以及位于所述主动面与所述后表面之间的侧边,且所述多个晶粒的所述后表面贴附至所述保护层,其中所述主动面上具有导电连接端子;
形成绝缘密封体以包封所述晶粒的所述侧边以及所述多个晶粒的所述主动面,且所述绝缘密封体暴露出所述导电连接端子的顶表面,其中所述多个晶粒的所述主动面不与所述导电连接端子的所述顶表面共平面,且所述保护层的杨氏模量小于所述绝缘密封体的杨氏模量;
形成重布线路结构于所述晶粒以及所述绝缘密封体上,其中所述重布线路结构电性连接至对应的所述多个晶粒;
将所述载体基板自所述保护层分离,其中所述保护层不与所述多个晶粒以及所述绝缘密封体电性连接;以及
形成多个导电端子于所述重布线路结构上。
8.根据权利要求7所述的封装结构的制造方法,其特征在于,还包括进行切单处理以单一化所述多个晶粒。
9.根据权利要求7所述的封装结构的制造方法,其特征在于,包封所述晶粒的所述侧边的步骤包括:
形成所述绝缘密封体于所述多个晶粒上,以使所述绝缘密封体完全覆盖所述多个晶粒;以及
减小所述绝缘密封体的厚度以露出各个所述多个晶粒的一部分。
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