[发明专利]一种基于可编程逻辑的双口RAM防冲突方法有效

专利信息
申请号: 201710693828.3 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN107463520B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 廖科;吴伯春;夏欢 申请(专利权)人: 中国航空无线电电子研究所
主分类号: G06F13/376 分类号: G06F13/376
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 杨慧
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 可编程 逻辑 ram 冲突 方法
【权利要求书】:

1.一种基于可编程逻辑的双口RAM防冲突方法,应用在双口RAM从端,包含以下步骤:

1)将双口RAM主端的片选引脚上的片选信号PORT_A_CS_RAM输入非门,将非门的输出和双口RAM从端一侧的CPU输出的片选信号PORT_B_CS_CPU输入或门,或门的输出连接到双口RAM从端的片选引脚;

2)将双口RAM主端的片选引脚上的片选信号PORT_A_CS_RAM和双口RAM从端的片选引脚上的片选信号PORT_B_CS_RAM输入或非门,或非门的输出送至D触发器的clocks输入端,D触发器的S端接逻辑“0”,D触发器的R端接双口RAM从端一侧的CPU的GPIO_CLR引脚,D触发器的输出作为冲突标志连接至双口RAM从端一侧的CPU的GPIO_INTERRUPT引脚;

3)双口RAM从端一侧的CPU执行以下步骤:读取GPIO_INTERRUPT引脚来判断本次读写是否有读写冲突,若有,则通过GPIO_CLR引脚清除冲突标志后,重新发起读写操作,直到没有读写冲突,则认为数据正常读写,本次读写结束。

2.根据权利要求1所述的一种基于可编程逻辑的双口RAM防冲突方法,其特征在于所述片选信号为低电平有效。

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