[发明专利]整体式真空电子束熔炼装置

权利要求书

1.一种整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，包括真空室以及套管式水冷坩埚；

所述的套管式水冷坩埚包括，

坩埚，其顶部形成有物料池，底部为平面且形成有外凸式连接环，在底部分布有n个水孔，所述的水孔两两为一组且由水槽连通，其中，n为偶数，所述的水孔包括设置物料池底部的短水孔和分别设置在物料池周侧的长水孔；

中法兰，其固定设置在坩埚底部并将所述的水孔的下端口密封，其包括其上形成有n个通孔的中法兰板，与通孔一一对应地固定设置在中法兰板上且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的中法兰板底部的连通部，所述的连通部为n/2-1个，用以连通两组水孔对应的导水管，其中剩余两个导水管分别与进水管和出水管连接；所述的导水管内的水流截面积和导水管和水孔间的水流截面积相同,所述的导水管的内径为10-16mm，所述的导水管外壁与水孔间距在3-5mm,

还包括与所述的中法兰密封地固定连接的下法兰，所述的中法兰底面形成有的连通槽，所述的下法兰将连通槽的开口封闭以构成所述的连通部；

所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、水槽、导水管及连通部构成整体单向通道；

所述的真空室开设有安装孔，所述的套管式水冷坩埚通过中法兰及连接环固定设置在所述的安装孔处。

2.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置。

3.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水孔与物料池的壁厚在5-10mm。

4.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，还包括测温机构，在坩埚的物料池底部和/或物料池周侧设置有轴向延伸的测量孔，在中法兰上对应设置穿孔，所述的测温机构匹配地穿过所述的穿孔插入所述的测量孔。

5.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的坩埚为铜材质，所述的中法兰为不锈钢材质，在坩埚和中法兰间设置有密封板。

6.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，与电子轰击区上下对应的区域内不设置水孔。

7.如权利要求1所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的连接环的内圈上表面形成有凹槽，在所述的凹槽内嵌设有密封圈。

8.一种整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，包括真空室以及套管式水冷坩埚；

所述的套管式水冷坩埚包括，

坩埚，其顶部形成有物料池，底部为平面且形成有外凸式连接环，在底部分布有n个水孔，所述的水孔两两为一组且由水槽连通，其中，n为偶数，所述的水孔包括设置物料池底部的短水孔和分别设置在物料池周侧的长水孔；

中法兰，其固定设置在坩埚底部并将所述的水孔的下端口密封，其包括其上形成有n个通孔的中法兰板，与通孔一一对应地固定设置在中法兰板上且可匹配插入所述的水孔中并与水孔保持间隔的导水管，以及形成在所述的中法兰板底部的连通部，所述的连通部为n/2-1个，用以连通两组水孔对应的导水管，其中剩余两个导水管分别与进水管和出水管连接；所述的导水管内的水流截面积和导水管和水孔间的水流截面积相同,所述的导水管的内径为10-16mm，所述的导水管外壁与水孔间距在3-5mm, 所述的连通部为连通管；所述的连通管与对应的导通的两根所述的导水管一体形成；

所述的水槽互不直接连通，所述的连通部互不直接连通，所述的水孔、水槽、导水管及连通部构成整体单向通道；

所述的真空室开设有安装孔，所述的套管式水冷坩埚通过中法兰及连接环固定设置在所述的安装孔处。

9.如权利要求8所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的中法兰下表面形成有将所述的连通管嵌含其中的定位槽。

10.如权利要求8所述的整体式真空电子束熔炼装置，其特征在于，所述的水孔沿坩埚的轴向平行设置。