[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

衬底；

半导体芯片，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、安置于所述第一表面的至少一个芯片垫、在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧表面，以及电连接到所述芯片垫的至少一个传导元件，其中所述芯片垫通过所述传导元件电连接到所述衬底；

第一散热结构，位于所述半导体芯片的所述第一表面的与衬底之间，其中所述第一散热结构界定至少一个开口，所述开口在所述半导体芯片下方，所述开口的大小小于所述半导体芯片的大小，且所述传导元件安置在所述开口中；以及

第二散热结构，其安置于所述半导体芯片的所述第二表面以及所述第一散热结构上，其中所述第二散热结构接触所述半导体芯片的所述第二表面及所述侧表面，以及接触所述第一散热结构，所述第二散热结构具有第一面积，所述半导体芯片具有第二面积，且所述第一面积与所述第二面积的比率大于1.17。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二散热结构包含石墨层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一面积与所述第二面积的所述比率在1.17到7的范围内。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述第一面积与所述第二面积的所述比率在1.4到6的范围内。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述第一面积与所述第二面积的所述比率在2到5的范围内。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述石墨层具有在水平方向上在1400瓦每米开尔文(W/mK)到2000W/mK的范围内的导热性，且在垂直方向上在5W/mK到20W/mK的范围内的导热性。

7.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第二散热结构进一步包含保护层，所述保护层安置于所述石墨层上。