[发明专利]一种纳米Ag-Cu焊膏及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201710690344.3 申请日: 2017-08-14
公开(公告)号: CN107511602B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 毛样武;段煜;王珂;闵梅;胡坤;王升高 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: B23K35/22 分类号: B23K35/22;B23K35/30;B23K35/40
代理公司: 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 ag cu 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明公开了一种纳米Ag‑Cu焊膏及其制备方法和应用。所述纳米Ag‑Cu焊膏由Ag粉、Cu粉和丙三醇按照下述比例制备而成:Ag粉和Cu粉的质量比为2~4:1;Ag粉和Cu粉的质量之和与丙三醇的质量比为8~12:1。其中,所述Ag粉的粒径为5~10nm,Cu粉的粒径为20~60nm。所述纳米Ag‑Cu焊膏的制备方法为:取Ag粉和Cu粉,加入酒精研磨,得Ag‑Cu混合粉末,再加入丙三醇调制成粘稠膏状,得到纳米Ag‑Cu焊膏。所述纳米Ag‑Cu焊膏可用于制备铜与铜的连接件,具体步骤如下:取适量纳米Ag‑Cu焊膏,均匀涂抹在两块铜母材的待连接面上,合上待连接面,连接。本发明提供的纳米Ag‑Cu焊膏抗氧化性强、抗电化学迁移性好、电导率和热导率高,由其连接制备的接头剪切强度理想、可靠性高。

技术领域

本发明属于纳米连接领域,具体涉及一种纳米Ag-Cu焊膏及其制备方法与应用。

背景技术

大功率电子器件往往伴随着较高的工作温度,为了满足电子封装的要求,需要熔点更高的钎料。Cu、Ag块材对应的熔点分别为1080℃和960℃,远远高于焊料对熔点的要求(通常为200℃左右)。此外,Cu和Ag都是电的良导体,这也保证了电子器件中电信号的稳定传输。同时,纳米Cu颗粒的加入也可降低成本。因此,纳米Ag-Cu焊料的制备和应用对于高温电子封装领域具有重要的意义。

然而Ag和Cu的高熔点导致了连接时的困难,因为过高的连接温度会损坏基板和相关元件。且现有技术中含Ag和Cu的焊料还分别存在抗电化学迁移性能差和易氧化等问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供一种纳米Ag-Cu焊膏及其制备方法与应用。本发明提供的纳米Ag-Cu焊膏抗氧化性强、抗电化学迁移性好、电导率和热导率高,用于制备接头时对连接温度要求较低,并且由所述纳米Ag-Cu焊膏连接的接头剪切强度理想、可靠性高。

为实现上述目的,本发明所提供的技术方案如下:

一种纳米Ag-Cu焊膏,其特征在于,其由Ag粉、Cu粉和丙三醇按照一定比例制备而成。

按上述方案,优选地,所述Ag粉和Cu粉的质量比为2~4:1;所述Ag粉和Cu粉的质量之和与丙三醇的质量比为8~12:1。

按上述方案,优选地,所述Ag粉的粒径为5~10nm,Cu粉的粒径为20~60nm。

按上述方案,优选地,所述粒径为5~10nm的Ag粉的制备方法以硬脂酸,氢氧化钠,硝酸银为原料,通过液相化学-热分解法制备而成,具体步骤如下:

(1)将氢氧化钠和硬脂酸溶于去离子水中加热到80℃,加入AgNO3,恒温搅拌1h后取上层白色的蜡状物质离心清洗;更优选地,所述离心的速率为7000r/min,所述清洗的次数为4次,每次清洗时间为10min;

(2)在通氮气条件下,将步骤(1)中经离心清洗后的白色蜡状物质以5℃/min的升温速率加热到250℃并保温90min,得到粒径为5~10nm的纳米银颗粒。

按上述方案,优选地,所述粒径为20~60nm的Cu粉的制备方法为以次磷酸钠,硫酸铜为原料,通过液相化学还原法制备而成,具体步骤如下:

(1)将次磷酸钠和PVP加入到一缩二乙二醇溶液中并加热到80℃,加入CuSO4·5H2O,恒温搅拌1h后取反应液中的紫黑色沉淀物质;

(2)将步骤(1)中得到的紫黑色沉淀物质离心清洗和干燥处理,最后得到粒径为20~60nm的纳米铜颗粒;更优选地,所述离心的速率为7000r/min,所述清洗的次数为4次,每次清洗时间为10min。

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