[发明专利]一种阻隔膜

说明书

本发明涉及一种光学用薄膜，尤其涉及一种光学用阻隔膜及其制备方法。为了降低阻隔膜制备工艺的复杂性和降低生产成本，本发明提供一种阻隔膜及其制备方法。所述阻隔膜包括基材层和阻隔层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层；所述第一阻隔层在基材层的上表面，第二阻隔层在第一阻隔层的上表面。所述阻隔层在紫外光固化作用下分层得到第一阻隔层和第二阻隔层。本发明提供的阻隔膜具有较高的单层水氧透过率以及高阻隔性，广泛应用于液晶显示设备，能够更好的保护显示设备，提高显示器的使用寿命。本发明提供的阻隔膜的制备方法降低了工艺的复杂性，制备过程不需要真空环境，工艺简单，便于操作，提高生产良率。

技术领域

本发明涉及一种光学用薄膜，尤其涉及一种光学用阻隔膜及其制备方法。

背景技术

传统LED背光液晶的色域只有70％NTSC，色彩表现力一般。如今电子设备开始采用量子点膜技术和OLED技术，极大的提高色域，达到100％全色域甚至更高，显示更加明亮，色彩更加丰富多彩。OLED和量子点对环境中的水汽和氧气非常敏感，容易发生衰减，最直接有效的方法是将其与空气中的水氧阻隔起来。阻隔膜的阻隔性，对量子点和OLED显示设备的使用性能和寿命至关重要。

目前，阻隔膜主要采用PVD或PECVD的方法制备而成，一般需要达到较高的真空度之后，通过电压将靶材上的原子击出后，沉积在基材的表面，这种制备方法对环境的要求非常高，工艺复杂性高且具有较高的成本。在非真空环境下制备阻隔层，并保证阻隔膜的阻隔性，将极大的提高生产效率，减少工艺的复杂性，提高产品的得率和良率。

发明内容

为了降低阻隔膜制备工艺的复杂性和降低生产成本，本发明提供一种阻隔膜及其制备方法。本发明提供的阻隔膜包括基材层和阻隔层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层；所述第一阻隔层在基材层的上表面，第二阻隔层在第一阻隔层的上表面。本发明提供的阻隔膜具有较高的透光率和阻隔性，制备过程不需要真空环境，工艺简单，具有较低的生产成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供下述技术方案：

本发明提供一种阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜包括基材层和阻隔层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层，所述第一阻隔层在基材层的上表面，第二阻隔层在第一阻隔层的上表面。进一步的，所述阻隔膜在非真空的条件下制备。

进一步的，所述阻隔层在紫外光固化作用下分层得到第一阻隔层和第二阻隔层。

进一步的，所述基材层为透明高分子薄膜，第一阻隔层为硅氧氮化合物(SiONx)，第二阻隔层为硅氧化合物(SiOx)。

进一步的，所述SiONx中X的范围为1-1.4，所述SiOx中X的范围为1.8-2.2。

进一步的，所述基材层的厚度为50-150μm，第一阻隔层的厚度为100-500nm，第二阻隔层的厚度为50-200nm。

进一步的，所述基材层的厚度优选为75-100μm。

进一步的，所述基材层的厚度最优选为90-100μm。

进一步的，所述第一阻隔层的厚度优选为200-300nm。

进一步的，所述第一阻隔层的厚度最优选为200-250nm。

进一步的，所述第二阻隔层的厚度优选为100-150nm。

进一步的，所述第二阻隔层的厚度优选为100nm。

进一步的，所述基材层的材料选自聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚偏氯乙烯(PVDF)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的一种。

进一步的，所述基材层的材料优选为PET、PVDF或PEN。

进一步的，所述基材层的材料优选为PVDF。