[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明公开了一种用于基于存储器单元所属的三维存储器构造的确定层来选择用于对该存储器单元执行一个或多个操作的一个或多个参考电压的技术。一个或多个操作可以包括读取操作或写入操作。存储器单元可以是闪速存储器单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月11日提交的申请号为62/373,883、名称为“WL GROUPINGFOR HARD READ THRESHOLD OPTIMIZATION(用于硬读取阈值优化的WL分组)”、代理所档案号为098645-1020595-SK035-P的美国临时专利申请的优先权，该临时专利申请的全部被共同地转让并且通过引用而明确地并入本文以用于所有目的。

背景技术

固态存储器被普遍地用于包括例如消费者电子装置(例如，蜂窝电话、照相机、计算机等)的各种电子系统和企业计算系统(例如，硬盘驱动器、随机存取存储器(RAM)等)中。由于延迟、吞吐量、抗冲击性、封装和其它考虑因素，固态存储器比机械存储器存储技术或其它存储器存储技术更受欢迎。成本是能够广泛采用固态存储器用于生产和/或采用的一个考虑因素。包括较小的平版印刷、多状态单元的使用以及三维存储器构造的先进的制造技术已经降低固态存储器的价格。然而，这些先进的制造技术可能对固态存储器的其它属性产生不期望的影响。例如，由于越来越密集的制造技术可靠性或速度可能会受损。因此，在固态存储器领域需要改进。

发明内容

本文公开了一种提高使用三维存储器构造执行的存储器操作的准确性和可靠性的技术。例如，可以关于确定三维存储器构造的一个或多个存储器单元的状态使用增加的准确性和可靠性。通过提高这种读取操作的准确性，可以例如通过减少可能消耗系统资源和/或降低固态存储器的可靠性的不必要的附加读取操作的使用来提高固态存储器的速度，从而提高存储器单元的寿命。

如本文所使用的，术语三维存储器是指使用沉积技术制造存储器，其中存储器单元以依次的层的方式被沉积/堆叠。例如，存储器单元可以被布置成平面阵列，平面阵列被布置成堆叠。可以通过一个在另一个上依次形成平面阵列来形成堆叠。可以形成三维构造的存储器的示例包括闪速存储器(例如，NAND、NOR、单层单元(SLC)、多层单元(MLC)、三层单元(TLC))、交叉点存储器、相变存储器、铁电存储器、磁阻存储器等。

与二维(平面)构造相比，三维存储器构造已经被开发以例如增加存储器装置和/或电路管芯的密度。然而，三维存储器构造技术可能由于例如制造的不一致性或相对复杂的迹线布线(trace routing)而将多种不一致性引入到存储器中，以适应三维存储器构造的增加的密度。这些不一致性可能通过例如降低读取操作或写入操作的准确性或可靠性来影响存储器操作。本文公开的技术可以被用于将三维存储器构造中的不一致性纳入考虑，并且最终减少使用三维存储器构造的存储器操作的不期望的影响。

在某些实施例中，公开了一种将三维存储器构造的层之间的不一致性纳入考虑的技术。该技术可以被用于自适应地识别和/或考虑三维存储器构造的制造缺陷。该技术可以基于存储器单元被设置在其内的层在存储器构造中自适应地选择电压、电流或其它标准以用于访问具体的存储器单元。

公开了一种包含包括存储器单元的平面阵列的存储器的技术，其中平面阵列被布置成堆叠的层，每个层各自包括平面阵列中的一个平面阵列。该技术可以包括使用联接到存储器的控制器。控制器可以被配置成选择存储器单元中的一个存储器单元来对其执行操作。控制器还可以被配置成确定层的哪一个层中设置有存储器单元中的一个存储器单元。控制器还可以附加地被配置成基于其中设置有存储器单元中的一个存储器单元的层的一个层来选择用于执行操作的参考电压。控制器还可以被配置成使用为层中的一个层选择的参考电压来执行操作。