[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器，其包括存储器单元的平面阵列，其中所述平面阵列被布置成堆叠的层，每个层各自包括所述平面阵列中的一个平面阵列；以及

控制器，其联接到所述存储器，所述控制器被配置成：

选择所述存储器单元中的一个存储器单元来对其执行操作；

确定所述层中的哪一个层中设置有所述存储器单元中的一个存储器单元；

基于其中设置有所述存储器单元中的一个存储器单元的所述层中的一个层来选择所述一个层所属的簇，其中每个簇包括多个层，每个簇中的多个层的多个参考电压不同于其他簇的多个层的多个参考电压；

基于所述存储器单元的条件从所述一个层所属的簇的所述多个参考电压中选择参考电压，以及

使用选择的参考电压来执行所述操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器被配置成从存储在所述存储器装置上的一些离散参考电压中的一个离散参考电压中选择所述参考电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述一些离散参考电压是一些离散参考电压组中的其中一个，所述离散参考电压组中的每一个对应于所述存储器单元的组中的各个存储器单元。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元的组中的每一个包括在相同的电路管芯内的存储器单元。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述一些离散参考电压中的每一个离散参考电压对应于所述层的子集。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作是读取操作；并且

其中执行所述读取操作包括：

基于所述参考电压将从所述存储器单元中的一个存储器单元读取的电压与阈值电压进行比较；或者

基于所述参考电压将电压施加到所述存储器单元以读取存储在其中的值。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中基于一个或多个条件选择所述参考电压，所述一个或多个条件包括以下条件中的至少一个：存储在所述存储器单元中的一个存储器单元内的数据的保留时间或所述存储器单元中的一个存储器单元已经受的编程擦除循环的数量。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作是写入操作；并且

其中执行所述写入操作包括基于所述参考电压选择电压以写入所述存储器单元中的一个存储器单元。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述层的每一个层对应于各个字线；以及

基于所述存储器单元中的一个存储器单元对应的所述字线确定所述层中的一个层。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一个或多个条件包括以下条件中的至少一个：存储在所述存储器单元中的一个存储器单元内的数据的保留时间或所述存储器单元中的一个存储器单元已经受的编程擦除循环的数量。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步被配置成从一个或多个离散参考电压的集合中选择所述参考电压，基于所述一个或多个条件从一些集合中选择所述集合。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元是闪速存储器单元。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中使用沉积技术来制造多个层，其中所述多个层中的每一个层被依次沉积。

14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元均被配置成存储三个或更多个离散状态，所述三个或更多个离散状态中的每一个离散状态对应于由相应的存储器单元存储的值。