[发明专利]半导体装置的制作方法

说明书

提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置的制作方法，更特别关于用以处理极紫外线微影中的光阻材料的材料组成及/或复合物，以及采用上述材料组成及/或复合物的方法。

背景技术

电子产业对较小与较快的电子装置的需求增加，且电子装置同时提供大量的复杂功能。综上所述，半导体产业的持续趋势为制作低成本、高效能、与低能耗的集成电路。通过缩小半导体的集成电路尺寸(如最小结构尺寸)可达这些远程目标，进而改良产能与降低相关成本。然而缩小尺寸也会增加集成电路工艺的复杂性。为了实现半导体集成电路与装置单元的持续进展，需要在半导体工艺与技术上具有类似进展。

一般而言，半导体集成电路的最小结构尺寸，为用于微影工艺中的射线源波长、光阻组成、光阻选择性、与其他参数的函数。在半导体微影的进展中，射线源波长缩短且较弱，因此光阻设计为尽可能有效地利用射线源。在一例中，导入化学放大光阻组成，以增加光阻对曝光光源的敏感度。然而，化学放大光阻系统面临难以克服的难处，比如薄膜中的低光子吸收度、中等的蚀刻选择性、以及有限的解析度增益。此外，对具有高解析度、低线宽粗糙度、与高敏感度等特性的光阻需求，远大于化学放大光阻系统所能提供。如此一来，化学放大光阻本身在半导体技术的持续进展中，无法满足新世代的微影需求。

如此一来，现有技术无法完全满足所有方面。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的制作方法，包括：形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例；将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例；以及在涂布处理材料至图案化光阻层时，进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。

附图说明

图1A、1B、与1C是一些实施例中的引导图案。

图2A与2B是一些实施例中的第一处理材料。

图3A与3B是一些实施例中的第二处理材料。

图4A、4B、与4C是一些实施例中的接枝单体R_g。

图5A、5B、5C、与5D是一些实施例中的活性点位R_a。

图6是多种实施例中，采用处理材料作为后处理工艺的一部份的方法其流程图。

图7A、7B、7C、与7D是依据图6的方法形成的半导体结构，于多种工艺阶段中的上视图与剖视图。

【符号说明】

A-A’、B-B’ 剖线

R_a 活性点位

R_g 第一接枝单体

R_g’ 第二接枝单体

R_s 有机可溶单体

W1、W2 有效图案宽度

102 花生状图案