[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

形成一图案化光阻层于一基板上，其中该图案化光阻层具有一第一图案宽度与一第一图案轮廓，且该第一图案轮廓具有一第一侧壁表面，且该第一侧壁表面具有不同种类的活性点位的不同区域；

将一处理材料涂布至该图案化光阻层，其中该处理材料包含至少一接枝单体，且至少一该接枝单体键结至该图案化光阻层的该第一侧壁表面上的不同种类的活性点位，以提供一处理后的图案化光阻层，该处理后的图案化光阻层具有一第二图案轮廓，该第二图案轮廓具有一第二侧壁表面，且该第二侧壁表面具有一致种类的活性点位以设置为与后续沉积的一层状物键结；以及

在涂布该处理材料至该图案化光阻层时，进行一第一图案缩减工艺，其中该处理后的图案化光阻层具有一第二图案宽度，且该第二图案宽度小于该第一图案宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在进行该第一图案缩减工艺之后，沉积一缩减材料至该处理后的图案化光阻层上，以对该处理后的图案化光阻层进行一第二图案缩减工艺。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一图案轮廓具有一第一粗糙度，该第二图案轮廓具有一第二粗糙度，且该第二粗糙度小于该第一粗糙度。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该图案化光阻层包含的一引导图案，具有合并或分开的1×2、1×3、1×N、或N×N个方形或狭长孔洞，其中N大于3。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该处理材料包含第一接枝单体R_g、第二接枝单体R_g’、与有机可溶单体R_s中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该处理材料包含至少一溶剂，且该溶剂为醋酸正丁酯、2-庚酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、环己酮、γ-丁内酯、或甲基异丁基甲醇。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中第一接枝单体R_g与第二接枝单体R_g’包括碱，且第一接枝单体R_g与第二接枝单体R_g’的酸解离常数各自大于7。

8.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中第一接枝单体R_g与第二接枝单体R_g’包含NH₃基、一级至三级胺基、OH基、NCS基、烯基、酚基、C5-C20的杂环基、与CN基中至少一种。

9.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中第一接枝单体R_g与第二接枝单体R_g’之间的酸解离常数差距大于0.3。

10.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中有机可溶单体R_s包含C5-C20的烷基、环烷基、C5-C20的饱合或未饱合的碳氢环、或C5-C20的杂环基。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该处理材料包含接枝单体R_g、活性点位R_a、与有机可溶单体R_s中的一种或多种。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中活性点位R_a包含的官能基为羟基、羧基、酚醛化合物、羧酸、或上述的组合。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该图案化的光阻层包括正型光阻。