[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置

说明书

本发明提供了一种显示基板及其制造方法和显示装置。该显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的金属原子层、遮光层和薄膜晶体管，所述遮光层位于所述金属原子层的远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧。本发明的技术方案中，显示基板包括衬底基板和位于衬底基板上的金属原子和遮光层，遮光层位于金属原子的远离衬底基板的一侧，金属原子通过等离子激元效应增强了遮光层对背光的吸收，从而提高了薄膜晶体管的稳定性和显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)液晶显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)通常采用顶栅结构，因此需要设置遮光层以遮挡背光。

现有技术中遮光层的材料为a-Si。但是，由于a-Si的透光率比较大，因此采用a-Si作为遮光层降低了LTPS显示装置中薄膜晶体管的稳定性和显示效果。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置，用于提高薄膜晶体管的稳定性和显示效果。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的金属原子层、遮光层和薄膜晶体管，所述遮光层位于所述金属原子层的远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧。

可选地，所述金属原子层包括分散设置的金属原子。

可选地，所述金属原子的材料包括Au、Ag、Cu、Pt或者Al。

可选地，所述金属原子的材料为Cu。

可选地，所述遮光层的材料为半导体材料。

可选地，所述遮光层的厚度为至

为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括相对设置的对置基板和上述显示基板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成金属原子层、遮光层和薄膜晶体管，所述遮光层位于所述金属原子层的远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧。

可选地，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏极；

所述在衬底基板上形成金属原子层、遮光层和薄膜晶体管包括：

在衬底基板上依次形成第一缓冲层和金属原子层。

在金属原子层之上依次形成遮光材料层、第二缓冲材料层和第一有源材料层；

对所述第一有源材料层进行晶化处理形成第二有源材料层；

对遮光材料层、第二缓冲层和第二有源材料层进行构图工艺，形成金属原子层、遮光层和有源层；

在有源层上形成源漏极，所述源漏极和有源层连接；

在所述源漏极的上方形成栅极。

可选地，所述金属原子层包括分散设置的金属原子。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中，显示基板包括衬底基板和位于衬底基板上的金属原子和遮光层，遮光层位于金属原子的远离衬底基板的一侧，金属原子通过等离子激元效应增强了遮光层对背光的吸收，从而提高了薄膜晶体管的稳定性和显示效果。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；