[发明专利]P型TFET器件在审
| 申请号： | 201710686363.9 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107658338A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/24 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tfet 器件 | ||
1.一种P型TFET器件，其特征在于，包括：
衬底材料(101)；
晶化Ge层(102)，设置于所述衬底材料(101)表面；
GeSn外延层(103)，设置于所述晶化Ge层(102)表面；
栅介质层(104)，设置于所述GeSn外延层(103)表面；
栅极材料层(105)，设置于所述栅介质层(104)表面；
源区(106)和漏区(107)，分别设置于所述GeSn外延层(103)两侧。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底材料(101)为N型单晶硅。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述N型单晶硅的掺杂浓度为5×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述晶化Ge层(102)为N型轻掺杂的Ge层，所述Ge层经过激光再晶化工艺处理后形成所述晶化Ge层(102)。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述激光再晶化工艺为通过激光热处理，将所述Si衬底(101)上的所述Ge外延层熔化再结晶，其中，激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s。
6.根据权利要求1或5所述的器件，其特征在于，所述晶化Ge层(102)的厚度为200～300nm。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述GeSn外延层(103)为N型掺杂，掺杂离子为P+离子，掺杂浓度为1×1015cm-2。
8.根据权利要求1或6所述的器件，其特征在于，所述GeSn外延层(103)的厚度为146nm。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述源区(106)的掺杂离子为P+离子，掺杂浓度为3×1019cm-2；所述漏区(107)的掺杂离子为BF2+离子，掺杂浓度为5×1018cm-2。
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