[发明专利]一种大尺寸发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201710683520.0 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107452845A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张韧剑;李志聪;冯亚萍;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种大尺寸发光二极管外延片，主要由设置在衬底同一侧的缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层组成，其特征在于：所述缓冲层由第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层组成，第一缓冲层设置在衬底上，第二缓冲层设置在第一缓冲层和第三缓冲层之间。
2.根据权利要求1所述的大尺寸发光二极管外延片，其特征在于：所述第一缓冲层的厚度为10～200nm，材料为InN；第二缓冲层的厚度为10～100nm，材料为AlxGayN，所述AlxGayN中0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y=1；第三缓冲层的厚度为10～300nm，材料为AlmGanN，所述AlmGanN中0≤m≤1，0≤n≤1，且m+n=1。
3.如权利要求1所述大尺寸发光二极管外延片的生长方法，包括采用有机金属化学气相沉积法，在衬底上依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，其特征在于：缓冲层的生长包括在衬底上依次进行第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层的生长。
4.根据权利要求3所述大尺寸发光二极管外延片的生长方法，其特征在于：向反应腔通入NH3，反应腔温度升高到150～400℃，反应腔压力设置为200～400mbar，生长第一缓冲层InN；
然后在反应腔中通入H2，将反应腔温度升高至1100～1300℃，恒温持续200～500秒后，再将反应腔温度降低至500～600℃，反应腔压力设置为500～600mbar生长第二缓冲层AlxGayN，所述AlxGayN中0≤x≤1，0≤y≤1，且x+y=1；
再将反应腔温度升高至900～1200℃，反应腔压力设置为600～800mbar生长第三缓冲层AlmGanN，所述AlmGanN中0≤m≤1，0≤n≤1，且m+n=1。
5.根据权利要求3或4所述大尺寸发光二极管外延片的生长方法，其特征在于：生长的所述第一缓冲层厚度为10～200nm，生长的所述第二缓冲层的厚度为10～100nm，生长的所述第三缓冲层的厚度为10～300nm。
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