[发明专利]一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法

权利要求书

1.一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

A.将制备好的铜箔基底石墨烯样品用去离子水清洗干净，并且放在真空中干燥；

B.配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液，并用旋涂机把聚甲基丙烯酸甲酯溶液均匀旋涂在铜箔基底石墨烯上，形成铜箔基底石墨烯复合层；

C.对步骤B中的铜箔基底石墨烯复合层进行热处理，再进行冷却处理，以在铜箔基底石墨烯表面形成支撑物；

D.将步骤C中的铜箔基底石墨烯复合层放在稀盐酸中刻蚀，以除去铜箔基底，得到聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯，并用去离子水清洗干净；

E.将步骤D中的聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯置于硅片上，然后对其硅片进行加热处理，形成聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯复合层；

F.用丙酮浸泡步骤E中的聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯复合层，除去聚甲基丙烯酸甲酯基底，并用去离子水清洗干净，加热烘干即可得到硅基底的石墨烯。

2.根据权利要求1所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，所述步骤E中，硅片需要提前进行RCA清洗法处理。

3.根据权利要求2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，所述RCA清洗法的处理步骤为：先用20:1:1的H₂O/H₂O₂/HCl溶液移除残留的钠、铁、镁离子，再用20:1:1的H₂O/H₂O₂/NH₄OH溶液去除硅片表面的有机物，每次处理步骤最后都要采用去离子水进行多次冲洗。

4.根据权利要求1或2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液是由氯苯溶液和聚甲基丙烯酸甲酯粉末配置而成。

5.根据权利要求4所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液是由1.1g/ml氯苯溶液与聚甲基丙烯酸甲酯粉末配制，质量分数为10％。

6.根据权利要求1或2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，步骤A中的铜箔基底石墨烯是通过化学气相沉积法制备得到的铜箔基底石墨烯。

7.根据权利要求1或2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，步骤B中所采用的旋涂机的转速范围为500-8000rpm，匀胶时间0-60s可调；实验中旋涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液时，先在600r/min下旋涂10s，接着在5000r/min下维持60s，使涂层不超过1um。

8.根据权利要求1或2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，步骤C中的热处理方法为：以10℃/min的加热速度升高至100℃。

9.根据权利要求1或2所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，步骤D中的稀盐酸的质量分数为7％。

10.根据权利要求1所述的一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，步骤E中的热处理温度比比聚甲基丙烯酸甲酯玻璃化温度高100℃。