[发明专利]有机电致发光显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201710676370.0 | 申请日: | 2017-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN107706209B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
| 发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种有机电致发光显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管,设置于所述基板上;底电极,设置于所述薄膜晶体管的漏极上;遮光层,设置于所述底电极上,所述遮光层中具有第一过孔,所述第一过孔暴露所述底电极;像素限定层,设置于所述薄膜晶体管、所述底电极和所述遮光层上,所述像素限定层具有第二过孔,所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径,且所述第二过孔完全暴露所述第一过孔;有机电致发光材料层,设置于所述底电极上;顶电极,设置于所述有机电致发光材料层上。本发明还提供了一种有机电致发光显示面板的制作方法。本发明利用遮光层将有机电致发光材料层的边沿遮挡,从而改善有机电致发光材料层边沿发光亮度不均匀的现象。
技术领域
本发明属于有机电致发光显示技术领域,具体地讲,涉及一种有机电致发光显示面板及其制作方法。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板成为国内外非常热门的新兴平面显示面板产品,这是因为OLED显示面板具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、薄厚度、可制作大尺寸与可挠曲的显示面板及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。
目前,在现有的OLED显示面板中,通过有机光阻的涂布、曝光、显影、烘烤等工序得到的像素限定层(PDL层)会出现顶表面疏水而侧面亲水的状况,这样在后续的有机电致发光材料层制作时,将由各功能层材料形成的墨水(ink)打印到像素限定层中之后,各功能层出现中间薄边沿厚的现象,最终导致电流流过各功能层的边沿时出现发光亮度不均匀的现象。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够消除有机电致发光材料层的边沿发光亮度不均匀现象的有机电致发光显示面板及其制作方法。
根据本发明的一方面,提供了一种有机电致发光显示面板,其包括:基板;薄膜晶体管,设置于所述基板上;底电极,设置于所述薄膜晶体管的漏极上;遮光层,设置于所述底电极上,所述遮光层中具有第一过孔,所述第一过孔暴露所述底电极;像素限定层,设置于所述薄膜晶体管、所述底电极和所述遮光层上,所述像素限定层具有第二过孔,所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径,且所述第二过孔完全暴露所述第一过孔;有机电致发光材料层,设置于所述底电极上;顶电极,设置于所述有机电致发光材料层上。
进一步地,所述第二过孔的中心轴与所述第一过孔的中心轴重合。
进一步地,所述遮光层由不透明的且绝缘的富硅氧化物或富硅氮化物制成。
进一步地,所述像素限定层由聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺制成。
进一步地,所述薄膜晶体管包括:多晶硅层,设置于所述基板上,所述多晶硅层包括未掺杂层、分别设置于所述未掺杂层两侧的重掺杂层及设置于所述重掺杂层和所述未掺杂层之间的轻掺杂层;栅极绝缘层,设置于所述多晶硅层和所述基板上;栅极,设置于所述栅极绝缘层上且位于所述多晶硅层上;层间绝缘层,设置于所述栅极和所述栅极绝缘层上;第三过孔和第四过孔,分别贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层;源极和漏极,设置于所述层间绝缘层上,所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与对应的所述重掺杂层接触;平坦层,设置于所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上;第五过孔,贯穿所述平坦层,以将所述漏极暴露。
进一步地,所述薄膜晶体管还包括:缓冲层,设置于所述基板与所述多晶硅层和所述栅极绝缘层之间。
进一步地,所述有机电致发光材料层从底电极到顶电极顺序包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。
进一步地,所述底电极和所述顶电极中的一个是透明的或半透明的,另一个是不透明的且反射光的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





