[发明专利]有机电致发光显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201710676370.0 | 申请日: | 2017-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN107706209B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
| 发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管,设置于所述基板上;
底电极,设置于所述薄膜晶体管的漏极上;
遮光层,设置于所述底电极上,所述遮光层中具有第一过孔,所述第一过孔暴露所述底电极;
像素限定层,设置于所述薄膜晶体管、所述底电极和所述遮光层上,所述像素限定层具有第二过孔,所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径,且所述第二过孔完全暴露所述第一过孔;
有机电致发光材料层,设置于所述底电极上,所述有机电致发光材料层的边沿设置于所述遮光层上;
顶电极,设置于所述有机电致发光材料层上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第二过孔的中心轴与所述第一过孔的中心轴重合。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述遮光层由不透明的且绝缘的富硅氧化物或富硅氮化物制成。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述像素限定层由聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺制成。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
多晶硅层,设置于所述基板上,所述多晶硅层包括未掺杂层、分别设置于所述未掺杂层两侧的重掺杂层及设置于所述重掺杂层和所述未掺杂层之间的轻掺杂层;
栅极绝缘层,设置于所述多晶硅层和所述基板上;
栅极,设置于所述栅极绝缘层上且位于所述多晶硅层上;
层间绝缘层,设置于所述栅极和所述栅极绝缘层上;
第三过孔和第四过孔,分别贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层;
源极和漏极,设置于所述层间绝缘层上,所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与对应的所述重掺杂层接触;
平坦层,设置于所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上;
第五过孔,贯穿所述平坦层,以将所述漏极暴露。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:缓冲层,设置于所述基板与所述多晶硅层和所述栅极绝缘层之间。
7.根据权利要求1或5或6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述有机电致发光材料层从底电极到顶电极顺序包括:空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述底电极是透明的或半透明的,所述顶电极是不透明的且反射光的。
9.一种有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管的漏极上制作形成底电极;
在所述底电极上制作形成遮光层;
在所述遮光层中制作形成暴露所述底电极的第一过孔;
在所述薄膜晶体管、所述底电极和所述遮光层上制作形成像素限定层;
在所述像素限定层中制作形成完全暴露所述第一过孔的第二过孔,所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径;
在所述底电极和所述遮光层上制作形成有机电致发光材料层,以使所述有机电致发光材料层的边沿位于所述遮光层上;
在所述有机电致发光材料层上制作形成顶电极。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,实现步骤“在所述基板上制作形成薄膜晶体管”的步骤包括:
在所述基板上制作形成缓冲层;
在所述缓冲层上制作形成多晶硅层;所述多晶硅层包括未掺杂层、分别设置于所述未掺杂层两侧的重掺杂层及设置于所述重掺杂层和所述未掺杂层之间的轻掺杂层;
在所述多晶硅层和所述缓冲层上制作形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上制作形成位于所述多晶硅层上的栅极;
在所述栅极和所述栅极绝缘层上制作形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层中制作形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第三过孔和第四过孔;
在所述层间绝缘层上制作形成填充所述第三过孔与对应的所述重掺杂层接触的源极以及填充所述第四过孔与对应的所述重掺杂层接触的漏极;
在所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上制作形成平坦层;
在所述平坦层中制作形成将所述漏极暴露的第五过孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710676370.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高速公路警示牌组件
- 下一篇:一种节能教育展示板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





