[发明专利]图像传感器有效
| 申请号: | 201710674751.5 | 申请日: | 2017-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN107706200B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
| 发明(设计)人: | 表正炯;金范锡;李景镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/70;H04N25/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
提供一种图像传感器。图像传感器包括包含像素区域的半导体基板。图像传感器包括在像素区域中的第一光电转换元件和第二光电转换元件。图像传感器包括在第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的隔离区域。隔离区域相对于像素区域偏移中心。
技术领域
本公开涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器将光学图像转换成电信号。随着计算机和通信产业发展,在诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏主机、摄像头和医疗微型照相机的各种领域中越来越需要高性能图像传感器。因此,增加或改善成像装置或成像装置中包括的图像传感器的性能可以是有益的。
发明内容
本发明构思的示例实施方式可以提供具有改善的光学特性的图像传感器。
根据一些实施方式,一种图像传感器可以包括包含第一像素区域和第二像素区域的半导体基板。图像传感器可以包括在半导体基板中以限定第一像素区域和第二像素区域的第一隔离结构。图像传感器可以包括在第一像素区域和第二像素区域的每个中的第一光电转换元件和第二光电转换元件。图像传感器可以包括在第一像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的第二隔离结构。图像传感器可以包括在第二像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的隔离掺杂剂区域。当从平面图观察时,第二隔离结构的中心可以相对于第一像素区域的中心偏移。第一像素区域可以是多个第一像素区域中的一个像素区域,并且第二像素区域可以是多个第二像素区域中的一个像素区域。第一像素区域和第二像素区域可以沿第一方向交替布置。
根据一些实施方式,一种图像传感器可以包括包含像素区域的半导体基板。图像传感器可以包括在像素区域上的微透镜。图像传感器可以包括在半导体基板中以限定像素区域的第一隔离结构。图像传感器可以包括在像素区域中的第一光电转换元件和第二光电转换元件。图像传感器可以包括在像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的第二隔离结构。当从平面图观察时,微透镜的中心可以从像素区域的中心偏移。当从平面图观察时,第二隔离结构的中心可以从像素区域的中心偏移。
根据一些实施方式,一种图像传感器可以包括半导体基板,其包括在第一区域中的第一像素区域和在第二区域中的第二像素区域。图像传感器可以包括在半导体基板中以限定第一像素区域和第二像素区域的第一隔离结构。图像传感器可以包括在第一像素区域和第二像素区域的每个中的第一光电转换元件和第二光电转换元件。图像传感器可以包括在第一像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的第二隔离结构。图像传感器可以包括在第二像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的第三隔离结构。第一区域可以在半导体基板的中心处。第一区域可以在第一方向上与第二区域间隔开。当从平面图观察时,第二隔离结构的中心可以与第一像素区域的中心基本上对准。此外,当从平面图观察时,第三隔离结构的中心可以在第一方向上从第二像素区域的中心偏移。
根据一些实施方式,一种图像传感器可以包括包含多个像素区域的半导体基板。图像传感器可以包括在所述多个像素区域中的一个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域。图像传感器可以包括在所述多个像素区域中的所述一个像素区域中的第一光电转换区域与第二光电转换区域之间的半导体基板中延伸的隔离区域。图像传感器可以包括交叠隔离区域的中心的透镜。隔离区域的中心和透镜的中心可以从所述多个像素区域中的所述一个像素区域的中心偏移。
附图说明
从以下结合附图的详细描述,示例实施方式将被更清楚地理解。
图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的图像传感器的示意性框图。
图2是示出根据本发明构思的一些实施方式的图像传感器的有源像素传感器阵列的示意性电路图。
图3是示出根据本发明构思的一些实施方式的图像传感器的有源像素传感器阵列的电路图。
图4A至4D是示出根据本发明构思的一些实施方式的图像传感器的滤色器阵列的平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





