[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体基板，包括第一像素区域和第二像素区域；

第一隔离结构，在所述半导体基板中以限定所述第一像素区域和所述第二像素区域；

第一光电转换元件和第二光电转换元件，在所述第一像素区域和所述第二像素区域的每个中；

第二隔离结构，在所述第一像素区域中的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件之间；以及

隔离掺杂剂区域，在所述第二像素区域中的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件之间，

其中当从平面图观察时，所述第二隔离结构的中心相对于所述第一像素区域的中心偏移，

其中所述第一像素区域是多个第一像素区域中的一个，并且所述第二像素区域是多个第二像素区域中的一个，以及

其中所述第一像素区域和所述第二像素区域沿第一方向交替布置。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二隔离结构包括：在所述第一方向上延伸的第一部分；以及在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分，以及

其中所述第一部分和所述第二部分在所述第二隔离结构的中心处彼此交叉。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构和所述第二隔离结构彼此连接以构成一体。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中所述第一隔离结构的顶表面的宽度比所述第二隔离结构的顶表面的宽度更宽，以及

其中所述第一隔离结构的深度比所述第二隔离结构的深度更深。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中所述第一隔离结构的宽度从所述半导体基板的第一表面朝向所述半导体基板的第二表面逐渐变窄，以及

其中所述第二隔离结构的宽度从所述半导体基板的所述第一表面朝向所述半导体基板的所述第二表面逐渐变窄。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中所述半导体基板还包括由所述第一隔离结构限定的第三像素区域，

其中所述图像传感器还包括在所述第三像素区域中的第一光电转换元件与第二光电转换元件之间的第三隔离结构，

其中当从平面图观察时，所述第三隔离结构的中心从所述第三像素区域的中心偏移，以及

其中所述第三像素区域在交叉所述第一方向的第二方向上与所述第一像素区域间隔开。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述第二隔离结构的偏移距离与所述第三隔离结构的偏移距离不同。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

分别在所述第一像素区域和所述第二像素区域上的第一微透镜和第二微透镜，

其中当从平面图观察时，所述第一微透镜的中心从所述第一像素区域的所述中心偏移，以及

其中当从平面图观察时，所述第二微透镜的中心从所述第二像素区域的中心偏移。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一微透镜的至少一部分垂直地交叠所述第二像素区域。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一微透镜的偏移距离与所述第二微透镜的偏移距离不同。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中所述半导体基板的中心在第二方向上与所述第一像素区域的所述中心间隔开，以及

其中所述第二隔离结构在所述第二方向上偏移。

12.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括分别在所述第一像素区域和所述第二像素区域上的第一滤色器和第二滤色器，

其中当从平面图观察时，所述第一滤色器的中心从所述第一像素区域的所述中心偏移，以及

其中当从平面图观察时，所述第二滤色器的中心从所述第二像素区域的中心偏移。