[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括基板、栅极层及绝缘层，栅极层形成于基板上，绝缘层覆盖于栅极层；半导体层，形成于绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在绝缘层上；源漏极层，形成在导体层和绝缘间隔层上；钝化层，形成于源漏极层和半导体层上；其中，绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间，可以解决薄膜晶体管存在漏电流过大的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)广泛应用于液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中，因此，薄膜晶体管影响到显示行业的发展。然而当前薄膜晶体管的制造方法中，形成的薄膜晶体管存在漏电流过大的问题，导致薄膜晶体管的特性受到影响。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板，以解决薄膜晶体管存在漏电流过大的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括基板、栅极层及绝缘层，栅极层形成于基板上，绝缘层覆盖于栅极层；半导体层，形成于绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在绝缘层上；源漏极层，形成在导体层和绝缘间隔层上；钝化层，形成于源漏极层和半导体层上；其中，绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间。

为解决上述技术问题，本发明实施例采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括基板；在基板上设置栅极层及绝缘层，绝缘层覆盖于栅极层；在绝缘层上依次设置半导体层和导体层；在绝缘层上设置绝缘间隔层；在导体层和绝缘间隔层上设置源漏极层；其中绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间；在源漏极层和半导体层上设置钝化层。

为解决上述技术问题，本发明实施例采用的又一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括如上述的薄膜晶体管。

本发明的有益效果是：通过在基板上设置栅极层及绝缘层，绝缘层覆盖于栅极层；在绝缘层上依次设置半导体层和导体层；在绝缘层上设置绝缘间隔层；在导体层和绝缘间隔层上设置源漏极层；其中绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间；在源漏极层和半导体层之间设置绝缘间隔层，能够阻止源漏极层与半导体层直接接触，从而实现减小漏电流的情况，改善薄膜晶体管的特性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例薄膜晶体管的结构示意图；

图2是本发明另一实施例薄膜晶体管的结构示意图；

图3是本发明一实施例薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；

图4是本发明另一实施例薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；

图5是图4所示薄膜晶体管的制造方法步骤S22中形成的玻璃基板的结构示意图；

图6是图4所示薄膜晶体管的制造方法步骤S23中形成的玻璃基板的结构示意图；

图7是图4所示薄膜晶体管的制造方法中绝缘间隔层第一种形成方式的流程示意图；

图8是图7所示绝缘间隔层第一种形成方式中步骤S231-S251后形成的薄膜晶体管的结构示意图；