[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板、栅极层及绝缘层，所述栅极层形成于所述基板上，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；

半导体层，形成于所述绝缘层上；

导体层，形成于半导体层上；

绝缘间隔层，形成在所述绝缘层上；

源漏极层，形成在所述导体层和所述绝缘间隔层上；

钝化层，形成于所述源漏极层和所述半导体层上；

其中，所述绝缘间隔层位于所述源漏极层和所述半导体层之间，所述源漏极层进一步设置在所述绝缘层上，所述绝缘间隔层进一步位于所述导体层与所述源漏极层之间，所述钝化层进一步设置在所述绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘间隔层的厚度大于或等于所述半导体层的厚度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层进一步设置在所述绝缘间隔层上，所述绝缘间隔层至少包括第一厚度和第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且所述第二厚度大于或等于所述半导体层的厚度。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘间隔层包括氧化硅或氮化硅。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

基板；

在所述基板上设置栅极层及绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；

在所述绝缘层上依次设置半导体层和导体层；

在所述绝缘层上设置绝缘间隔层；

在所述导体层和所述绝缘间隔层上设置源漏极层；

其中所述绝缘间隔层位于所述源漏极层和所述半导体层之间；

在所述源漏极层和所述半导体层上设置钝化层；

其中，所述在所述绝缘层上设置绝缘间隔层的方法包括：

在所述绝缘层上依次设置半导体层和导体层，所述导体层上设置有光阻材料，对所述半导体层和导体层进行氧化处理，以形成设置于所述绝缘层上的绝缘间隔层，去除光阻材料，在所述导体层和所述绝缘间隔层上设置源漏极层；

或，在所述导体层和所述绝缘层上沉积绝缘材料，对所述绝缘材料进行图案化处理，去除所述导体层上的绝缘材料，以在所述绝缘层上形成绝缘间隔层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上依次设置半导体层和导体层的步骤包括：

在所述绝缘层上沉积非晶硅材料；

在所述非晶硅材料进行掺杂处理以及结晶处理，形成靠近所述绝缘层的多晶硅材料以及远离所述绝缘层的导体材料；

对所述多晶硅材料和所述导体材料进行图案化处理，得到半导体层和导体层。

7.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括如上述权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。