[发明专利]准直器检具及其使用方法有效
| 申请号: | 201710669842.X | 申请日: | 2017-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN109390222B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;罗明浩;黄文杰 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 准直器检具 及其 使用方法 | ||
本发明提供一种准直器检具及其使用方法,准直器检具包括:底座,底座具有第一端面、与第一端面相对的第二端面、以及连接第一端面和第二端面的外壁;至少一个限位块,凸出设置于底座的第一端面上,沿垂直于外壁的方向上,限位块内具有贯穿限位块的第一固定孔;至少一个第一固定件,用于贯穿第一固定孔;至少一个第二固定件,凸出设置于底座的第一端面上。本发明所述准直器检具能够模拟所述准直器在客户端(例如为溅射机台端)的安装方法,通过采用将所述准直器装配于所述准直器检具上的方式,所述准直器检具能够检测所述准直器的安装孔和安装槽的相对位置是否正确、检测所述准直器的外径公差和形变,且检测效率和检测精度较高。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种准直器检具及其使用方法。
背景技术
溅射工艺是一种物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的镀膜方式,通常用于沉积半导体结构中所使用的薄膜。溅射工艺就是利用被加速的带电粒子轰击靶坯,带电粒子与靶坯表面的材料原子发生碰撞,从而使靶坯的材料原子从表面溢出,从而实现在基底表面的薄膜沉积。根据应用环境以及溅射要求的不同,靶坯的形状也不同,例如圆形靶坯、矩形靶坯、环状靶坯或不规则形状的异型靶坯。
在溅射工艺过程中,通常在基底和靶坯之间插入准直器(Collimator),准直器具有蜂窝状的控制孔结构,通过调整各控制孔的深宽比,使通过位于所述准直器周边部的控制孔的溅射粒子量多过通过位于中央部的控制孔的溅射粒子量,从而能够弥补周边部的膜厚不足的问题,进而提高所沉积薄膜的厚度均一性。
但是,将准直器装配于溅射机台端时,容易出现装配失败的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种准直器检具及其使用方法,提高对准直器的检测效率和检测精度,且检测方便。
为解决上述问题,本发明提供一种准直器检具,包括:底座,所述底座具有第一端面、与所述第一端面相对的第二端面、以及连接所述第一端面和第二端面的外壁;至少一个限位块,凸出设置于所述底座的第一端面上,沿垂直于所述外壁的方向上,所述限位块内具有贯穿所述限位块的第一固定孔;至少一个第一固定件,用于贯穿所述第一固定孔;至少一个第二固定件,凸出设置于所述底座的第一端面上。
可选的,所述底座的形状为圆柱体或圆环体。
可选的,所述限位块的数量为多个,且所述限位块以所述底座的横截面中心为圆心,沿圆周方向排布。
可选的,所述第二固定件的数量与所述限位块的数量相等,所述第二固定件与所述限位块间隔排布。
可选的,所述第二固定件的数量为多个,且所述第二固定件以所述底座的横截面中心为圆心,沿圆周方向排布。
可选的,相邻所述限位块之间的第二固定件数量为多个,且相邻所述限位块之间的第二固定件数量相等。
可选的,所述准直器检具还包括:限位环,凸出设置于所述底座的第一端面上,且平行于所述第一端面的方向上,所述限位环的尺寸小于所述底座的尺寸。
可选的,所述限位块凸出设置于所述限位环靠近所述外壁一侧的第一端面上,所述第二固定件凸出设置于所述限位环远离所述外壁一侧的第一端面上。
可选的,所述第一固定孔为螺纹孔,所述第一固定件为螺栓;或者,所述第一固定孔为通孔,所述第一固定件为定位销。
可选的,所述第一固定孔与所述第一固定件一一对应。
可选的,所述第二固定件固定于所述底座的第一端面上。
可选的,所述第二固定件为定位销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





