[发明专利]接触结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种接触结构及其制作方法。制作接触结构的方法，其步骤包含在基底上形成多个掩模条、在每一掩模条周围形成圆形掩模，其中该些圆形掩模彼此接触并与掩模条界定出多个开口图形；以掩模条以及圆形掩模为蚀刻掩模进行蚀刻制作工艺将开口图形转印至基底，以在基底中形成多个凹槽；以及在每一凹槽中填入金属形成接触结构。

技术领域

本发明涉及一种接触结构暨其制作方法。更特定言之，其涉及动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)中的位线接触结构以及存储节点(storagenode)接触结构暨其制作方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备埋入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备埋入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷存储装置，以接收来自于位线(bit line)及字符线(word line)的电压信号。DRAM中的电容通过其下电极来与电容连接垫电连接，在进一步经由存储节点(storage node)的接触插塞以及接触垫来与晶体管的漏极形成存取通路。位线及字符线则埋设在基底之中，其中位线通过其位线接触结构来与晶体管的源极形成通路，字符线则作为各存储单元的栅极。

随着DRAM上的集成度快速增加，存储器单元在单位面积下的分布越来越密，其各部件之间的距离也越来越近，特别是位线接触结构与存储节点接触结构两者在如此高的集成度下很容易相触而造成短路。再者，就现有的埋入式DRAM结构来说，其位线接触结构的深度较周遭的元件如存储节点接触结构来得低，为了要达到这样的深度，其蚀刻制作工艺的持续时间较久，此作法容易破坏存储器周边区域已形成的栅极介电层等敏感的层结构。

故此，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元的制作工艺仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

为了改善前述DRAM单元制作工艺中容易发生的问题，本发明提出了一种新颖的接触结构暨其制作方法，其特点在于位线接触结构与存储节点接触结构是以自对准方式同时界定并形成的，可避免现有技术中较后制作的存储节点接触结构容易与较先制作的位线接触结构接触而产生短路的问题。此外因为该两种接触结构同时制作得出之故，位线接触结构具有与存储节点接触结构同样的深度，故制作中不需使用较长时间的蚀刻制作工艺，可确保周边区域的层结构不受到破坏。

本发明的其一目的即在于提出一种制作接触结构的方法，其步骤包含在基底上形成多个掩模条、在每一掩模条周围形成圆形掩模，其中该些圆形掩模彼此接触而与该些掩模条界定出多个开口图形、以该些掩模条与该些圆形掩模为蚀刻掩模进行蚀刻制作工艺将开口图形转印至基底，以在基底中形成多个凹槽、以及在每一凹槽中填入金属形成接触结构，该些接触结构与基底中的主动区域连接。

本发明的另一目的即在于提出一种接触结构，鳍结构包含一基底，其上具有多个由浅沟槽隔离区域所分隔的主动区域、多个位线接触结构，位于基底中且与主动区域连接、以及多个存储节点接触结构，位于基底中且与主动区域以及浅沟槽隔离区域连接，其中每一位线接触结构两侧各具有一存储节点接触结构，且存储节点接触结构的底部与位线接触结构的底部位于同一水平。

本发明的这类目的与其他目的在阅者读过下文以多种图示与绘图来描述的优选实施例细节说明后必然可变得更为明了显见。

附图说明

本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本发明实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中：