[发明专利]接触结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作接触结构的方法，包含：

提供一基底，该基底具有多个主动区域；

在该基底上形成多个掩模条；

在每一该掩模条周围形成间隔壁，其中该多个间隔壁彼此接触且与该多个掩模条界定出多个开口图形；

以该多个掩模条与该多个间隔壁为蚀刻掩模进行蚀刻制作工艺将该多个开口图形转印至该基底，以在该基底中形成多个凹槽；以及

在每一该凹槽中填入导电材料而形成接触结构，该些接触结构与该多个主动区域连接

其中在每一该掩模条周围形成间隔壁的步骤包含：

在每一该掩模条上形成掩模块，其中该掩模条位于该掩模块的中线位置；

在该基底与该多个掩模块上共形地形成一间隔层，其中该多个掩模块上的该间隔层彼此接触而界定出多个第一开口图形；以及

进行第一蚀刻制作工艺蚀刻该间隔层以及该些掩模块，使得该多个掩模块上的该间隔层被移除而该多个掩模块的侧壁上的该间隔层余留下来形成该多个间隔壁，且该多个掩模块被完全移除，其中每一该间隔壁与每一该掩模条界定出两个第二开口图形。

2.如权利要求1所述的制作接触结构的方法，其中该第一开口图形界定出位线接触图形，该第二开口图形界定出存储节点接触图形。

3.如权利要求1所述的制作接触结构的方法，其中每一该第一开口图形位于一该主动区域的中心上方，每二个该第二开口图形位于一该主动区域的两个末端上方。

4.如权利要求1所述的制作接触结构的方法，其中该蚀刻制作工艺将该些第一开口图形以及该些第二开口图形分别转印至该基底，以在该基底中分别形成多个第一凹槽以及多个第二凹槽。

5.如权利要求4所述的制作接触结构的方法，其中该第一凹槽的接触结构为位线接触结构，该第二凹槽的接触结构为存储节点接触结构。

6.如权利要求5所述的制作接触结构的方法，还包含在该些位线接触结构上形成位线，其中每一该位线与该多个掩模条的位置重叠。

7.如权利要求5所述的制作接触结构的方法，还包含在每一该存储节点接触结构上形成接触插塞。

8.如权利要求1所述的制作接触结构的方法，其中该多个掩模条形成在字符线与字符线之间以及该些主动区域的两个相邻末端之间且呈现错位排列设置。

9.一种接触结构，包含：

基底，该基底具有多个由隔离结构所分隔的主动区域；

层间介电层，直接位于该些隔离结构上；

多个位线接触结构，位于该层间介电层中且与该主动区域连接；

多个存储节点接触结构，位于该层间介电层中且与该主动区域以及该隔离结构连接，其中每一该位线接触结构两侧各具有一该存储节点接触结构并透过该层间介电层与该些存储节点接触结构隔绝，且该些存储节点接触结构的底部与该位线接触结构的底部位于同一水平；

多条位线，每条该位线都位于多个该些位线接触结构上且与该些位线接触结构连接，其中该些存储节点接触结构位于该些位线之间；以及

间隔层，位于该层间介电层上且分别位于每个该位线的两个侧壁上。

10.如权利要求9所述的接触结构，其中每一该位线接触结构位于一该主动区域的中心上方，每二个该存储节点接触结构分别位于一该主动区域的两个末端上方。

11.如权利要求9所述的接触结构，还包含多条字符线形成于该基底中且与该多条位线正交，其中该多个位线接触结构以及该多个存储节点接触结构位于该多条字符线之间。

12.如权利要求9所述的接触结构，其中，每一该存储节点接触结构上各具有一单独的接触插塞。