[发明专利]一种优化CIS‑UTS器件白色像素的工艺方法在审
| 申请号： | 201710667290.9 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107424917A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 范洋洋;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 cis uts 器件 白色 像素 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化CIS-UTS器件白色像素的工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供半导体衬底；
采用离子注入法将像素区硅片外延层注入为N型衬底；
进行有源区制程及后续工艺制程。
2.根据权利要求1所述的优化CIS-UTS器件白色像素的工艺方法，其特征在于，所述离子注入步骤包括：
进行硬掩膜版沉积；
进行N型离子P的注入；
使用湿法工艺去除硬掩膜版。
3.根据权利要求1所述的优化CIS-UTS器件白色像素的工艺方法，其特征在于，所述N型离子P的注入能量为2MKeV～3MKeV。
4.根据权利要求3所述的优化CIS-UTS器件白色像素的工艺方法，其特征在于，所述N型离子P的注入能量为2.25MKeV。
5.根据权利要求1所述的优化CIS-UTS器件白色像素的工艺方法，其特征在于，所述后续工艺制程包括：
进行深N阱工艺制程；
进行浅沟槽隔离工艺制程；
进行集电极掩埋工艺制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
