[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供成膜装置。该成膜装置具有蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是具有收容工件的内部空间的金属的筒状。电极配置于蒸发源的内部空间。气体通路从蒸发源的外部空间向蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于内部空间的端部。气体通路的端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。第一材料及第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。

技术领域

本发明涉及利用电弧放电在工件上生成膜的成膜装置。

背景技术

日本特开2016‐20518号公报所记载的成膜装置是通过电弧放电使从蒸发源放出的金属离子堆积于工件的表面而进行成膜的装置。该成膜装置具有：筒状的蒸发源，具有收容工件的内部空间；闭塞构件，将该内部空间密闭；及电极，沿着蒸发源的内壁面设置。

在这样的成膜装置中，从外部电源向蒸发源施加放电电压。由偏压电源向收容于蒸发源的内部空间的工件施加偏压电压。闭塞构件接地。并且，通过使碰撞器与蒸发源接触并立即使碰撞器从该蒸发源离开，来产生以蒸发源为阴极且以闭塞构件为阳极的电弧放电。由此，高密度的电流集中于蒸发源的内壁面的电弧点而放出离子。在上述公报所记载的成膜装置中，电极例如接地，或者向电极施加比蒸发源的电压低的正电压，从而电极与闭塞构件同样地作为阳极发挥功能。

发明内容

在上述公报所记载的成膜装置的情况下，电极具备向蒸发源的内部空间供给工艺气体的气体通路。从蒸发源放出的金属离子有时不仅向工件堆积，也向电极堆积。在该情况下，当反复执行电弧放电而金属离子向电极的堆积量变多时，有时也会以将设置于电极的气体通路的开口部闭塞的方式生成金属膜。在上述公报所记载的成膜装置中，关于这一点未作考虑，还有改善的余地。

用于达成上述目的的成膜装置具备蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是由金属构成的筒状，且具有收容工件的内部空间。电极配置于所述蒸发源的内部空间。气体通路从所述蒸发源的外部空间向所述蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于所述内部空间的端部。成膜装置构成为通过在所述蒸发源与所述电极之间产生的电弧放电来使从所述蒸发源放出的金属离子堆积于所述工件而进行成膜。所述气体通路的所述端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。所述第一材料及所述第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。

在上述结构中，气体通路的端部具有由热膨胀系数彼此不同的材料构成的第一部位和第二部位。在气体通路接受电弧放电的热而膨胀时，第一部位与第二部位的热膨胀的程度会产生差异。即，通过利用在成膜时产生的电弧放电的热使气体通路的端部反复热膨胀，第一部位与第二部位之间的距离会发生变化。因此，根据上述结构，即使金属离子堆积于气体通路的端部而假设以将气体通路的端部闭塞的方式生成了金属膜，也能够促进该金属膜的脱落。

优选的是，上述成膜装置具备防附着件，该防附着件配置于所述蒸发源与所述电极之间，且相对于所述蒸发源及所述电极电绝缘，所述电极构成所述第一部位，所述防附着件构成所述第二部位，所述气体通路的所述端部由所述电极及所述防附着件构成。

根据上述结构，无需在电极及防附着件之外另外设置构成气体通路的端部的构件。因而，能够有助于削减成膜装置的构成部件。

另外，在该成膜装置中，优选的是，构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料高的热传导系数。

在上述结构中，电极的热传导系数比防附着件的热传导系数高。因而，与防附着件相比，电极的热容易向其他构件传递。这样，通过使电极的热容易向其他构件扩散，能够抑制该电极的温度变得过度的状态持续。

另外，在该成膜装置中，优选的是，构成所述电极的所述第一材料具有比构成所述防附着件的所述第二材料低的热膨胀系数。