[发明专利]一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路板加工领域，具体地，涉及一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法。

背景技术

在现有技术中，现有的加工方法为：下料→钻孔→孔金属化→电路图蚀刻→各图层各图层涂覆→外形(冲/铣)→测试检查等。

而现有技术中的方法存在如下技术问题：成品金属化孔与电路板元器件面、接地面贯通，无任何阻焊措施，导致电路板安装元器件后再次焊接，将引起衰减器项目QFN封装类器件接地焊盘焊锡再次熔化，二次浸润，从而导致较高比例的开路或短路不良，电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率低下。

发明内容

本发明提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，解决了现有的加工方法存在电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率较低的技术问题，实现了通过本方法能够阻碍二次浸润，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。

为实现上述发明目的，本申请提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，所述加工方法包括：

步骤1：在电路板上钻孔；

步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；

步骤3：对金属化孔进行填塞；

步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；

步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品。

其中，本申请的原理为：在工艺获得金属化孔后，对金属化孔进行填塞，对金属化孔进行隔断，避免接地焊盘焊锡再次熔化后进行二次浸润，对电路板进行保护，提高了产品良率。

进一步的，步骤3与步骤4之间还包括步骤A：对填塞后的电路板进行二次沉铜处理，然后进行表面抛光处理。整板再次沉铜后，填充部位目视不可见，整个QFN接地焊盘可视为无孔焊盘，便于后续焊锡膏印刷钢网开口或预成型焊盘图形的设计；抛光后，于孔两侧形成平整端面，同时保障整板铜箔厚度的一致性、规格等满足设计要求。

进一步的，其特征在于，填塞材料填塞在金属化孔中部，使得金属化孔上部与下部隔断。一方面填充材料与覆铜材料特性存在客观差异，较少量的使用可以降低高低温工况下的结构盈利；另一方面填充后需要二次沉铜，在中部填充可确保两侧二次沉铜厚度的均匀程度。

进一步的，所述属化孔填塞材料为环氧树脂。

进一步的，环氧树脂为低应力，即填充树脂应选择与铜的热膨胀系数较为接近的材料，在高温、低温状态不会导致焊盘平面过于凸出或凹陷。具体应根据电路板基板厚度(孔深、填塞量)和覆铜层设计厚度(二次沉铜层厚度)计算。所述的电路板和填孔树脂材料，该填充材料热膨胀系数的选择，和电路板基材厚度(填充厚度)、孔径相关，在1.0mm厚度基板、0.018mm敷铜、金属化孔，填充厚度0.5mm～0.8mm时，可选树脂材料的热膨胀系数大致范围为40ppm/K～80ppm/K。计算逻辑为：在产品工作、存储、装配全温段，电路板基板、敷铜、填充材料的热障冷缩尺寸差异不超过0.05mm(平面度要求)。

进一步的，所述属化孔填塞材料为银浆。

进一步的，所述属化孔填塞材料为铜浆。金属化孔填塞工序：使用低应力环氧树脂填塞金属化孔的中段部位，用以阻隔金属化孔内焊锡浸润通道，同时保障金属化孔的电气连接特性不受影响。除低应力环氧树脂外，还可选用银浆、铜浆等填塞材料，以满足低电阻或低热阻要求。

进一步的，所述填塞的工艺为“树脂塞孔”。可采用成型模具一次性注入、定制夹具注入保型、预制颗粒粘接填塞等多种方式，以适应不同规格的电路基板材料和设计要求。

进一步的，所述电路板为用于QFN封装类器件焊盘的接地部分。

本申请提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本发明使用新的电路板加工方法，在金属化孔内部形成焊锡浸润阻断面，确保装配过程不再会二次浸润，杜绝因此导致的QFN器件装配不良，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定；

图1是现有技术中电路板的加工流程示意图；

图2是本申请中金属化孔填塞示意图；

图3是本申请中数控衰减器的电路板的加工方法示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，解决了现有的加工方法存在电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率较低的技术问题，实现了通过本方法能够阻碍二次浸润，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。