[发明专利]一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法在审

专利信息
申请号: 201710665740.0 申请日: 2017-08-07
公开(公告)号: CN107278036A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 卢国良;包明 申请(专利权)人: 四川九立微波有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/42
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 代理人: 郭受刚
地址: 61000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 数控 衰减器 qfn 封装 器件 接地 电路板 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种数控衰减器的电路板QFN封装器件接地焊盘的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括:

步骤1:在电路板上钻孔;

步骤2:对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔;

步骤3:对金属化孔进行填塞;

步骤4:对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理;

步骤5:对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品。

2.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,步骤3与步骤4之间还包括步骤A:对填塞后的电路板进行二次沉铜处理,然后进行表面抛光处理。

3.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,填塞材料填塞在金属化孔中部,使得金属化孔上部与下部隔断。

4.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,所述属化孔填塞材料为环氧树脂。

5.根据权利要求4所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,环氧树脂热膨胀系数致范围为40ppm/K~80ppm/K。

6.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,所述属化孔填塞材料为银浆。

7.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,所述属化孔填塞材料为铜浆。

8.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,所述填塞的工艺为树脂塞孔工艺。

9.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法,其特征在于,所述电路板为用于QFN封装类器件中的电路板。

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