[发明专利]一种LED面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED面板及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。LED的核心组件是芯片，若干芯片整齐排列在基板上形成LED面板。

现有LED面板的制作方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽，在凹槽内的N型半导体层上形成延伸至衬底的隔离槽；在凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在P型半导体层上形成P型电极；将P型电极和N型电极键合到基板上；采用激光剥离技术去除蓝宝石衬底，形成LED面板。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

微型发光二极管(英文简称：Micro LED)芯片是大小达到微米级的LED芯片，如果按照现有LED面板的制作方法处理Micro LED芯片，在采用激光剥离技术去除蓝宝石衬底时容易造成破片和发光层损伤，产品良率太低，无法进行工业生产。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种LED面板及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种LED面板的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型氮化镓层延伸至所述衬底的隔离槽；

通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；

在各个所述芯片半成品的P型氮化镓层上形成P型电极；

将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片半成品的层叠方向平行，各个所述芯片半成品之间的基板上设有所述通孔；

通过所述通孔湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品与所述衬底分离时停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；

在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；

在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。

可选地，所述在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型氮化镓层延伸至所述衬底的隔离槽，包括：

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在衬底上依次生长氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；

采用物理气相沉积技术在所述P型氮化镓层上形成二氧化硅层；

采用光刻技术在所述二氧化硅层上形成第一图形的光刻胶；

湿法腐蚀所述二氧化硅层；

干法刻蚀所述P型氮化镓层、所述发光层和所述N型氮化镓层，形成所述隔离槽；

去除所述第一图形的光刻胶。

可选地，所述通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，包括：

将所述芯片半成品浸泡在腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液至少对所述隔离槽内的芯片半成品进行腐蚀，所述腐蚀溶液为磷酸溶液、硫酸溶液、或者磷酸和硫酸的混合溶液；

在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前，将所述芯片半成品从所述腐蚀溶液中取出；

去除所述二氧化硅层。

优选地，所述腐蚀溶液的温度为200℃～250℃。

优选地，所述二氧化硅层的厚度为100nm～5000nm。

可选地，所述P型电极包括金属反射层。

优选地，所述金属反射层的材料采用银、铝、金或者铂。

可选地，所述将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片半成品的层叠方向平行，各个所述芯片半成品之间的基板上设有所述通孔，包括：