[发明专利]一种LED面板及其制作方法

权利要求书

1.一种LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型氮化镓层延伸至所述衬底的隔离槽；

通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；

在各个所述芯片半成品的P型氮化镓层上形成P型电极；

将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片半成品的层叠方向平行，各个所述芯片半成品之间的基板上设有所述通孔；

通过所述通孔湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品与所述衬底分离时停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；

在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；

在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型氮化镓层延伸至所述衬底的隔离槽，包括：

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在衬底上依次生长氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；

采用物理气相沉积技术在所述P型氮化镓层上形成二氧化硅层；

采用光刻技术在所述二氧化硅层上形成第一图形的光刻胶；

湿法腐蚀所述二氧化硅层；

干法刻蚀所述P型氮化镓层、所述发光层和所述N型氮化镓层，形成所述隔离槽；

去除所述第一图形的光刻胶。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，包括：

将所述芯片半成品浸泡在腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液至少对所述隔离槽内的芯片半成品进行腐蚀，所述腐蚀溶液为磷酸溶液、硫酸溶液、或者磷酸和硫酸的混合溶液；

在所述芯片半成品从倒圆台变成倒圆锥与所述衬底分离之前，将所述芯片半成品从所述腐蚀溶液中取出；

去除所述二氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀溶液的温度为200℃～250℃。

5.根据权利要求2～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为100nm～5000nm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述P型电极包括金属反射层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的材料采用银、铝、金或者铂。

8.根据权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在设有若干通孔的基板上，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片半成品的层叠方向平行，各个所述芯片半成品之间的基板上设有所述通孔，包括：

在基板上开设若干通孔，所述若干通孔呈阵列分布，各个所述通孔的截面的面积大于所述P型电极固定在所述基板上的表面的面积，相邻两个所述通孔的截面的间距小于或等于相邻两个所述P型电极固定在所述基板上的表面的间距；

采用金属键合技术将各个所述芯片半成品的P型电极分别固定在所述基板上，各个所述芯片半成品的层叠方向与所述通孔的延伸方向平行。

9.根据权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述通孔湿法腐蚀所述芯片半成品，并在所述芯片半成品与所述衬底分离时停止，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快，包括：

通过所述通孔在各个所述芯片半成品之间注入腐蚀溶液，所述腐蚀溶液至少对所述芯片半成品的氮化铝缓冲层进行腐蚀，所述腐蚀溶液为氢氧化钾溶液或者氢氧化钠溶液；

在所述芯片半成品与所述衬底分离时，将所述芯片半成品从所述腐蚀溶液中取出。

10.一种LED面板，其特征在于，所述LED面板包括基板和若干芯片，各个所述芯片包括N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、P型电极、N型电极连接线和绝缘层，所述芯片中的P型电极、P型氮化镓层、发光层、N型氮化镓层依次层叠在所述基板上形成圆台，所述绝缘层设置在所述圆台上且从所述N型氮化镓层延伸至所述基板，所述N型电极连接线设置在所述绝缘层上且两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接，所述基板上设有若干通孔，各个所述通孔的延伸方向与所述芯片的层叠方向平行，各个所述芯片之间的基板上设有所述通孔。