[发明专利]像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置。

背景技术

硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光亮度通常通过驱动MOS管(金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管)的亚阈值区的电流来控制，由于MOS管的电流与它的宽长比成正比，为了实现微显示像素的小电流，必须把W/L(宽长比)的比值设计很小，即得把驱动MOS管的长度L设计很大；这样以来很难应用到高分辨率的产品，存储电容无法做大，数据电压无法稳定保持，导致OLED亮度不稳定。且MOS管的亚阈值电流对栅源电压和阈值电压很敏感，外围电路也很复杂；总得来说传统的硅基像素电路(采用工作在亚阈值的控制MOS管)很难减少驱动MOS管的面积至很难应用到超高分辨率的产品上，电流对控制MOS管的栅源电压和阈值电压敏感，外围电路相对复杂。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置，解决现有技术中驱动硅基OLED(有机发光二极管)发光的驱动晶体管工作于亚阈值区，从而导致需要将驱动晶体管的尺寸设置的很大，从而无法应用于高分辨率的显示产品，并存储电容的尺寸无法做大，从而导致的无法稳定保持数据电压而导致的发光元件发光亮度不稳定的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元电路，包括发光元件、驱动晶体管、数据写入单元和存储电容单元，其中，

所述驱动晶体管的漏极与高电平输入端连接，所述驱动晶体管的源极与所述发光元件的第一端连接；所述驱动晶体管为n型晶体管；

所述数据写入单元分别与数据线、栅线和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下，控制导通或断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；

所述存储电容单元的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述存储电容单元的第二端与参考电压输入端连接；

所述发光元件的第二端与低电平输入端连接。

实施时，本发明所述的像素单元电路还包括复位单元；

所述复位单元分别与复位端、参考电压输入端和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述复位端的控制下，控制导通或断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。

实施时，所述复位单元包括：复位晶体管，栅极与所述复位端连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述参考电压输入端连接；所述复位晶体管为n型晶体管或p型晶体管。

实施时，所述栅线包括第一栅线和第二栅线；

所述数据写入单元包括：

第一数据写入晶体管，栅极与所述第一栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；以及，

第二数据写入晶体管，栅极与所述第二栅线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；

所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管。

实施时，所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等。

实施时，所述存储电容单元包括：存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端与所述参考电压输入端连接。

实施时，所述发光元件包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二端。

本发明还提供了一种像素单元电路的驱动方法，应用于上述的像素单元电路，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，

在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，以使得驱动晶体管工作于恒流区，驱动晶体管驱动发光元件发光，所述驱动晶体管的源极电压随着所述驱动晶体管的栅极电位变化而变化。

实施时，每一显示周期在所述发光阶段之间还包括复位阶段，所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，

在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，复位单元在复位端的控制下控制导通所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接；

在所述发光阶段，复位单元在复位端的控制下控制断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。

实施时，所述参考电压输入端用于输入参考电压；