[发明专利]半导体集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体集成电路的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括从所述衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件；

在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件上方形成包括非晶材料的第一层，其中，所述第一层包括设置在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件之间的缝隙；以及

实施激光退火工艺以去除所述第一层中的所述缝隙，其中，实施所述激光退火工艺包括在所述激光退火工艺期间基于所述第一层的高度来调整施加到所述第一层的能量，

其中，所述非晶材料在实施所述激光退火工艺期间保持非晶。

2.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路的方法，还包括：

在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件之间形成隔离部件；

其中，所述第一层设置在所述隔离部件上方。

3.根据权利要求2所述的制造半导体集成电路的方法，其中，所述非晶材料是非晶硅。

4.根据权利要求2所述的制造半导体集成电路的方法，其中，调整施加到所述衬底的能量包括：基于所述非晶材料的结晶温度来调整与所述激光退火工艺相关的激光束的脉冲持续时间。

5.根据权利要求4所述的制造半导体集成电路的方法，其中，所述脉冲持续时间小于200ns。

6.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路的方法，其中，实施所述激光退火工艺以去除所述第一层中的所述缝隙包括：

在所述第一层的所述缝隙周围的部分中诱导键重构以去除所述缝隙。

7.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路的方法，其中，实施所述激光退火工艺以去除所述第一层中的所述缝隙包括：

回流所述缝隙周围的所述第一层；以及

用回流的所述第一层填充所述缝隙。

8.一种制造半导体集成电路的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括从所述衬底延伸的多个鳍元件；

在所述衬底上方形成伪栅极结构，其中，形成所述伪栅极结构包括：

在所述衬底上方形成伪栅电极层，其中，所述伪栅电极层包括设置在相邻的所述鳍元件之间的第一组缝隙；以及

对所述伪栅电极层实施第一脉冲激光退火工艺以去除所述第一组缝隙，其中，实施所述第一脉冲激光退火工艺以去除所述第一组缝隙包括：

使用具有第一能量的激光束扫描所述伪栅电极层的第一部分；

调整所述激光束以具有不同于所述第一能量的第二能量；以及

使用具有第二能量的所述激光束扫描所述伪栅电极层的第二部分。

9.根据权利要求8所述的制造半导体集成电路的方法，其中，调整所述激光束以具有不同于所述第一能量的第二能量包括调整所述激光束的脉冲持续时间。

10.根据权利要求8所述的制造半导体集成电路的方法，还包括：在实施所述第一脉冲激光退火工艺以去除所述第一组缝隙之后，在所述多个鳍元件的一个上方形成源极/漏极部件。

11.根据权利要求8所述的制造半导体集成电路的方法，

其中，所述伪栅电极层包括：

第三部分，垂直设置在第一隔离部件上方；

第四部分，垂直设置在与所述第一隔离部件相邻的第二隔离部件上方，其中，第一鳍元件插入在所述第一隔离部件和所述第二隔离部件之间；以及

其中，实施所述第一脉冲激光退火工艺以去除所述伪栅电极层中的所述第一组缝隙包括：

使用所述激光束扫描所述第三部分和所述第四部分，而不扫描垂直设置在所述第一鳍元件之上的所述伪栅电极层的第五部分。