[发明专利]一种显示面板成膜设备及方法有效
| 申请号: | 201710647166.6 | 申请日: | 2017-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN107400879B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 华梓同;吴勃;扈映茹;谌文娟;王东花;邹志杰 | 申请(专利权)人: | 成都天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/509;C23C16/52;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 设备 方法 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板成膜设备及方法。该显示面板成膜设备包括:至少一个真空腔体,每个真空腔体形成有真空腔室;气体输送系统,与真空腔体连接,用于将气体输送至真空腔室;待成膜基板,设置于真空腔室中;气体流速调控装置,设置于真空腔室中,位于待成膜基板成膜的一侧,且与待成膜基板具有一定间距,输入真空腔室的气体流经气体流速调控装置后,在待成膜基板上成膜;气体流速调控装置用于调控流经气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。本发明实施例解决了成膜设备的成膜膜厚及膜质存在差异性的问题,实现了在整张基板不同位置和在不同基板之间成膜的一致性。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板成膜设备及方法。
背景技术
在液晶显示技术领域,多采用等离子体化学气相沉积设备(成膜设备)在显示基板上沉积膜层。目前的等离子体化学气相沉积设备包括形成有真空腔室的真空腔体,设置于真空腔室中的上部电极和下部电极,待反应的气体通过真空腔体上部的进气口到达上部电极,该上部电极设有很多通孔,从而使气体通过通孔从上部电极进入反应区域,上部电极与射频电源相连用于产生等离子体;当处于一定压力下的气体通过上部电极后,在射频电源的作用下产生等离子体,并在上部电极与下部电极之间的电场作用下,气体发生反应并沉积到下部电极承载的基板上,从而形成致密的沉积结构。
但是,由于同一真空腔室内气体压力分布不均,使得气体分子间的碰撞出现位置上的差异性,进而导致整张基板上局部位置成膜速度快,局部位置成膜速度慢,造成整张基板不同位置的膜厚及膜质存在差异性,影响显示设备的稳定性;另外,多个基板可以分别在不同的真空腔室同时进行成膜,但由于不同的真空腔室存在差异性,导致基板与基板之间的膜厚及膜质存在差异性;再者,在成膜形成同型号不同批次的显示面板时,由于成膜环境(如气压)的改变,目前的成膜设备无法控制同型号不同批次的显示面板成膜膜厚及膜质的一致性,导致同型号不同批次的显示面板存在差异性。
发明内容
本发明提供一种显示面板成膜设备及方法,以解决成膜设备的成膜膜厚及膜质存在差异性的问题,实现在整张基板不同位置和在不同基板之间成膜的一致性。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板成膜设备,包括:
至少一个真空腔体,每个所述真空腔体形成有真空腔室;
气体输送系统,与所述真空腔体连接,用于将气体输送至所述真空腔室;
待成膜基板,设置于所述真空腔室中;
气体流速调控装置,设置于所述真空腔室中,位于所述待成膜基板成膜的一侧,且与所述待成膜基板具有一定间距,输入所述真空腔室的所述气体流经所述气体流速调控装置后,在所述待成膜基板上成膜;
所述气体流速调控装置用于调控流经所述气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。
另一方面,本发明实施例还提供了一种显示面板成膜方法,采用上述一方面所述的显示面板成膜设备制备显示面板的膜层,包括:
将所述待成膜基板固定于所述真空腔体中;
将所述气体通过所述气体输送系统输送至所述真空腔室;
所述气体经所述气体流速调控装置后,在所述待成膜基板上成膜;
其中,所述气体流速调控装置用于调控流经所述气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都天马微电子有限公司,未经成都天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710647166.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种原子层沉积设备的进气系统及其方法
- 下一篇:一种钛酸镧薄膜的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





