[发明专利]像素电路、其制造方法及显示装置有效
| 申请号: | 201710646875.2 | 申请日: | 2017-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN109326624B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 制造 方法 显示装置 | ||
一种像素电路、其制造方法及显示装置,该像素电路包括基板以及设置于所述基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管为顶栅结构,所述第二薄膜晶体管为底栅结构,所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的栅极彼此电性连接,且同层设置于所述基板上。
技术领域
本发明的实施例涉及一种像素电路、其制造方法以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、对比度高、响应速度快、轻薄等诸多优点,成为主要的新一代显示器之一。其工作原理是通过像素电路向阳极和阴极施加适当的电压,而使得位于阳极和阴极之间的有机发光层发光,从而显示图像。
薄膜晶体管(Thin-film Transistor,TFT)是像素电路中重要的器件,器件的结构及制作工艺都极大地影响着薄膜晶体管的性能。
发明内容
一方面,本发明的实施例提供一种像素电路,包括基板以及设置于所述基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管为顶栅结构,所述第二薄膜晶体管为底栅结构,所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的栅极彼此电性连接,且同层设置于所述基板上。
另一方面,本发明的实施例还提供一种上述像素电路的制造方法,包括:提供基板;在所述基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管为顶栅结构,所述第二薄膜晶体管为底栅结构,通过在所述基板上形成第一金属层并对所述第一金属层图案化形成彼此电性连接且同层设置的所述第一薄膜晶体管的第一极及所述第二薄膜晶体管的栅极。
再一方面,本发明的实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的像素电路。
本发明的实施例提供一种像素电路、其制造方法以及应用该像素电路的有机发光二极管显示装置,该像素电路对薄膜晶体管的结构进行了设计,有效提高薄膜晶体管的开关速度、驱动电流及电学稳定性,从而提高有机发光二极管显示装置的显示性能,同时,该像素电路的制造方法易于实现,工艺成本较低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1A是一种2T1C像素电路的示意图;图1B是另一种2T1C像素电路的示意图。
图2是根据本发明第一实施例的像素电路的剖面结构示意图。
图3是根据本发明第一实施例的像素电路的等效电路图。
图4是根据本发明第一实施例的变更实施例的剖面结构示意图。
图5A、图5B、图6-图8、图9A和图9B是根据本发明实施例的像素电路的阵列基板的示例性制造方法的各步骤的剖面示意图。
图10是根据本发明第三实施例的有机发光二极管显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710646875.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种像素排列结构、显示面板及显示装置
- 下一篇:显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





