[发明专利]像素电路、其制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，包括基板以及设置于所述基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构，所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第二薄膜晶体管的栅极彼此电性连接，且同层设置于所述基板上；所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第一薄膜晶体管的栅极同层设置并位于所述第一薄膜晶体管的第一极远离所述基板的一侧；

所述第一薄膜晶体管的有源层包括第一区、第二区及位于所述第一区和第二区之间的沟道区，所述第一薄膜晶体管的有源层的第一区与所述第一薄膜晶体管的第一极通过过孔电性连接，且所述第一区填充于所述过孔中；

所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置。

2.如权利要求1所述的像素电路，还包括设置于所述基板上的电容，其中，所述电容的第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一极及所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，且同层设置于所述基板上。

3.如权利要求2所述的像素电路，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极和第二极、所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极以及所述电容的第二电极同层设置，且所述第二薄膜晶体管的第一极与所述电容的第二电极电性相连。

4.如权利要求3所述的像素电路，其中，所述第一薄膜晶体管还包括设置于其第一极与有源层之间的缓冲层，所述缓冲层、所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层与所述电容的介质层同层设置。

5.如权利要求3所述的像素电路，还包括像素电极，其中，所述像素电极与所述第二薄膜晶体管的第一极及第所述电容的第二电极电性连接。

6.如权利要求3所述的像素电路，还包括像素电极，其中，所述像素电极与所述第二薄膜晶体管的第二极电性连接。

7.如权利要求1-6任意一项所述的像素电路，其中，所述第二薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层与所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层同层设置。

8.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层的第一区和第二区以及所述第二薄膜晶体管的有源层的第一区和第二区为导体。

9.一种显示装置，其包括如权利要求1-8任意一项所述的像素电路。

10.一种像素电路的制造方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构，通过在所述基板上形成第一金属层并对所述第一金属层图案化形成彼此电性连接且同层设置的所述第一薄膜晶体管的第一极及所述第二薄膜晶体管的栅极；

其中，在所述基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：

在所述第一金属层上形成第一绝缘层并在所述第一绝缘层中形成露出至少部分的所述第一薄膜晶体管的第一极的过孔；

在所述第一绝缘层上形成半导体层并图案化所述半导体层以形成所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层通过所述过孔与所述第一薄膜晶体管的第一极的裸露部分接触；

在所述半导体层上形成第二金属层并图案化所述第二金属层以形成所述第一薄膜晶体管的第二极和栅极。

11.如权利要求10所述的像素电路的制造方法，其中，在形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的同时还一并形成电容，在对所述第一金属层图案化的同时还一并形成所述电容的第一电极，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一极及所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接。