[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2016年8月24日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0107749号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。

技术领域

本发明概念大体来说涉及半导体装置，且更具体来说涉及具有有源阵列的半导体装置及其制造方法。

背景技术

近来，半导体装置已被小型化且高度功能化。因此，在半导体装置中所包括的晶体管的微小结构差异会对半导体装置的性能产生大的影响。一般来说，晶体管包括多晶硅栅极电极。然而，为了满足性能要求，多晶硅栅极电极已被金属栅极电极替代。作为形成金属栅极电极的工艺，可存在后栅极工艺(gate last process)或替换栅极工艺(replacementgate process)。

发明内容

本发明概念的各个方面提供一种制造半导体装置的方法，所述方法可通过在虚设栅极电极进行节点分离时移除栅极间隔壁的某些区或所有区来改善半导体装置的生产良率。

然而，本发明概念的各个方面并非仅限于本文所述的方面。通过参照以下给出的本发明概念的详细说明，对本发明概念所属领域中的普通技术人员来说，本发明概念的以上及其他方面将变得更显而易见。

根据本发明概念的某些实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上被设置成在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，设置于所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列上以在所述第二方向上延伸，且所述一对第一栅极间隔壁中的每一个包括第一区、第二区、及第三区，所述第一区具有第一宽度，所述第二区具有第二宽度，所述第三区设置于所述第一区与所述第二区之间且具有第三宽度；以及相互间隔开的第一栅极电极及第二栅极电极，且其中所述第一栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区之间且所述第二栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区之间，其中所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区设置于所述第一有源鳍片阵列上，所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区设置于所述第二有源鳍片阵列上，且所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区设置于所述第一有源鳍片阵列与所述第二有源鳍片阵列之间；且其中所述第一宽度及所述第二宽度中的每一个大于所述第三宽度。

根据本发明概念的某些实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；第一栅极电极，与所述第一有源鳍片阵列重叠且不与所述第二有源鳍片阵列重叠；第二栅极电极，与所述第二有源鳍片阵列重叠且不与所述第一有源鳍片阵列重叠且在第二方向上与所述第一栅极电极间隔开；绝缘体，设置于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间；第一栅极间隔壁，设置于所述第一栅极电极的一个侧壁上、所述第二栅极电极的一个侧壁上、及所述绝缘体的一个侧壁上；第二栅极间隔壁，设置于所述第一栅极电极的另一个侧壁上；以及第三栅极间隔壁，设置于所述第二栅极电极的所述另一个侧壁上，其中所述第一栅极间隔壁包括在所述第一栅极间隔壁的内侧壁上形成的第一凹陷部，且所述绝缘体的一部分被嵌于所述第一凹陷部中。