[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列设置于衬底上并在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；

一对第一栅极间隔壁，设置于所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列上并在所述第二方向上延伸，所述一对第一栅极间隔壁中的每一个包括第一区、第二区及第三区，所述第一区具有第一宽度，所述第二区具有第二宽度，且所述第三区位于所述第一区与所述第二区之间并具有第三宽度；以及

相互间隔开的第一栅极电极及第二栅极电极，所述第一栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区之间且所述第二栅极电极设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区之间；

绝缘体，位于所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区之间；

第一栅极绝缘膜，设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区与所述第一栅极电极之间且设置于所述第一区的侧壁上；以及

第二栅极绝缘膜，设置于所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区与所述第二栅极电极之间且设置于所述第二区的侧壁上，

其中所述一对第一栅极间隔壁的所述第一区设置于所述第一有源鳍片阵列上，所述一对第一栅极间隔壁的所述第二区设置于所述第二有源鳍片阵列上，且所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区设置于所述第一有源鳍片阵列与所述第二有源鳍片阵列之间，且

其中所述第一宽度及所述第二宽度中的每一个大于所述第三宽度，且

其中所述绝缘体不沿着所述第一方向从所述一对第一栅极间隔壁突出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘体接触所述第一栅极电极、所述第二栅极电极及所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘体包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述一对第一栅极间隔壁中的每一个的所述第一区与所述一对第一栅极间隔壁中的每一个的所述第二区之间，所述第二部分位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅极电极与所述第一有源鳍片阵列重叠且不与所述第二有源鳍片阵列重叠，

所述第二栅极电极与所述第二有源鳍片阵列重叠且不与所述第一有源鳍片阵列重叠，且

所述绝缘体不与所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括场绝缘膜，所述场绝缘膜设置于所述衬底上以覆盖所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列的至少一部分，

其中所述绝缘体的底表面被设置成接触所述场绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅极绝缘膜及所述第二栅极绝缘膜不设置于所述第一栅极电极与所述绝缘体之间、所述第二栅极电极与所述绝缘体之间及所述一对第一栅极间隔壁的所述第三区的侧壁上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一对第二栅极间隔壁，所述一对第二栅极间隔壁在所述第二方向上延伸且在所述第一有源鳍片阵列及所述第二有源鳍片阵列上设置成在所述第一方向上与所述一对第一栅极间隔壁间隔开，

其中所述一对第二栅极间隔壁中的每一个具有第四宽度，所述第四宽度大于所述第三宽度。