[发明专利]微机电设备、微机电系统和制造微机电设备的方法有效

专利信息
申请号: 201710633525.2 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107662900B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: A·德厄;M·F·赫曼;J·曼兹 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;张昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微机 设备 系统 制造 方法
【说明书】:

本公开涉及一种微机电设备、微机电系统和制造微机电设备的方法,其中,微机电设备可以包括:衬底;隔膜,安装至衬底;第一电极,安装至隔膜;第二电极,安装至衬底;其中,第一电极与第二电极横向相邻;并且其中,隔膜布置在第一电极和第二电极之间的间隙上方。

技术领域

各个实施例总体上涉及微机电设备、微机电系统以及制造微机电设备的方法。

背景技术

硅制微机电系统(MEMS)(例如MEMS麦克风)可具有压敏隔膜和穿孔背板以提供静电读出。这种布置中的信噪比可以通过穿孔背板中引起噪声的空气摩擦来限制。相比较,具有梳妆电极结构的MEMS可以由于梳妆电极布置而具有明显降低的噪声,然而,梳妆电极结构可具有大通风面积(例如间隙,入射声(例如,压力波)可通过该间隙传输而不显著影响隔膜),这降低了低频声音的分辨率。传统的梳妆电极结构MEMS试图通过减小电极指状件之间的距离来减小通风面积。该解决方案被各种制造方法所允许的尺寸可行性所限制。

发明内容

为解决上述问题,本公开提供了一种微机电设备,包括:衬底;隔膜,安装至所述衬底;第一电极,安装至所述隔膜;第二电极,安装至所述衬底;其中所述第一电极与所述第二电极横向相邻;并且其中所述隔膜布置在所述第一电极和所述第二电极之间的间隙之上。

此外,本公开还提供了一种微机电设备,包括:衬底;隔膜,安装至所述衬底;梳状电极结构,包括:动态电极,安装至所述隔膜,所述动态电极包括多个动态指状件;静态电极,安装至所述衬底,所述静态电极包括多个静态指状件;其中所述多个动态指状件和所述多个静态指状件是相互交叉的并且彼此横向相邻;以及其中所述隔膜布置在所述多个动态指状件和所述多个静态指状件之上。

此外,本公开还提供了一种制造微机电设备的方法,所述方法包括:将隔膜安装至衬底;将第一电极安装至所述隔膜;以及将第二电极安装至所述衬底;其中所述第一电极与所述第二电极横向相邻;并且其中所述隔膜布置在所述第一电极和所述第二电极之间的间隙之上。

附图说明

在附图中,参考符号通常在不同的附图中表示相同的部分。附图不必须按比例绘制,而是总体将重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中,参照以下附图描述本发明的各个实施例,其中:

图1A和图1B以截面形式示出了微机电设备。

图2A和图2B以截面形式示出了微机电设备。

图3以截面形式示出了微机电设备的平面图。

图4A至图4D示出了电极布置的侧视图和顶视图。

图5A至图5F示出了电极布置的顶视图。

图6A至图6F以截面形式示出了电极布置的侧视图。

图7示出了微机电系统的顶视图。

图8A示出了微机电封装的截面侧视图。

图8B示出了微机电封装的截面侧视图。

图9示出了制造微机电设备的方法的示图。

具体实施方式

以下详细描述参考附图,其中附图通过示例示出了可以实践本发明的具体细节和实施例。

本文使用的词语“示例性”表示“用作示例、例子或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不是必须构造为相对于其他实施例或设计是优选或有利的。

关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”可以在本文用于表示沉积材料可以“直接位于所提侧面或表面上”,例如与所提侧面或表面直接接触。关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“上方”可以在本文用于表示沉积材料可以“间接地位于所提侧面或表面上”,一个或多个附加层被布置在所提侧面或表面与沉积材料之间。

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