[发明专利]一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法

说明书

一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，步骤包括:将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；去除了裂片、酸腐蚀、高纯水清洗绝缘硅胶高温硫化等步骤，共缩短生产周期12小时每批。台面工艺制程的GPP芯片组焊工艺，采用合金导线与芯片接触位置采用的是钉头凸点结构，此结构解决了因焊接过程中产生的气孔虚连，从而提升了器件的正向浪涌能力。

技术领域：

本发明涉及一种半导体整流器件的制造方法，特别涉及一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法。

背景技术：

目前整流器的制造方法步骤为：芯片分极性→裂片→合金线分极性装填→合金线焊接→酸腐蚀铝板转换→酸腐蚀→高纯水清洗→高温烘烤→涂覆Si胶→固化→灌封→后固化→电镀→测试打印→检验→包装的工艺流程。采用这种方法制造的整流器存在以下问题：1、在焊接操作过程中，芯片的极性区分靠人工涂色区分，操作中极性方向极易出现反向不良，操作效率低，且极性反向报废不良比例大于2％。2、合金线焊接后需要经过化学试剂腐蚀，将芯片的P/N界面表层的二氧化硅腐蚀溶解，此过程会产生一定的酸液污水，影响环境防护，且化学试剂对芯片的腐蚀深度及速度受外界影响因素较多，较难控制，对于器件后续高温环境下，工作的信赖性性能存有一定的不稳定因素。3、采用化学试剂将芯片界面腐蚀后，需要用去离子超高导水进行清洗，将表面的杂质去除干净，高温烘烤后涂覆硅胶，对芯片界面进行防护防止界面污染，此时间段对生产环境温度、湿度、去离子水绝缘度、所处环境的洁净程度要求很高，且此工艺流程路线较长，若芯片界面杂质清理不净或流转过程受到外界污染时，器件在后续工作中，杂质形成逆向导通的媒介，对器件后续工作时的高温性能的可靠性存有一定的隐患。4、其合金线焊接时，导线与芯片连接面容易产生的焊接气泡难以排出，冷却后形成气孔，在后续的酸液腐蚀中产生钻蚀孔洞，造成器件的正向浪涌能力差。5、现有工艺流程，工艺流程路线较长，产品生产周期较长，自裂片焊接至半成品毛管，需要28H，对于工治具周转及产量提升存有一定的制约性。

发明内容：

本发明提供了一种半导体整流器件的制造方法，芯片的极性区分不再靠人工完成，不会产生污水避免了影响环境，高温性能的可靠性强，器件的正向浪涌能力强，工艺流程路线较短，提高了生产效率，解决了现有技术中存在的问题。

本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，步骤包括:

(1)将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；

(2)在焊接治具上间隔布设若干导线，每个导线的位置与吸附在分向吸盘上的在斜45°上相邻的两GPP芯片位置相对；

(3)将步骤(1)吸有GPP芯片的分向吸盘覆盖在焊接治具上，除去施加在分向吸盘上的负压，分向吸盘上的GPP芯片掉落在焊接治具上，在斜45°上相邻的两GPP芯片压在相应的导线上，在GPP芯片和导线之间设有焊片；

(4)在步骤(3)布设好GPP芯片的焊接治具上，沿斜135°间隔布设若干导线，每个导线连接相连两GPP芯片，在导线和芯片之间设有焊片，使相连四个GPP芯片组成一个整流桥；

(5)将步骤(4)的布设有若干个整流桥的焊接治具放入烧结炉中进行高温烧结，每个整流桥的四个GPP芯片和导线之间完成焊接；